[发明专利]一种用于硅衬底抛光的抛光液及其制备方法

权利要求书

1.一种用于硅衬底抛光的抛光液，其特征在于，包括如下重量百分含量的组分：

二氧化硅胶体10-50％

有机碱0.1-2％

氧化剂0.01-0.5％

络合剂0.01-0.2％

适量pH调节剂调节pH值在8.5-11.5，余量为去离子水；

其中，二氧化硅胶体中的二氧化硅颗粒粒径40-150nm，比表面积与粒径存在如下关系：S/DS²＝0.0020-0.0675，S以m²/g,DS为二氧化硅胶体颗粒的平均粒径，以纳米计。

2.根据权利要求1所述的用于硅衬底抛光的抛光液，其特征在于，包括如下重量百分含量的组分：

二氧化硅胶体35-40％

有机碱0.5-1％

氧化剂0.05-0.1％

络合剂0.05-0.1％

适量pH调节剂调节pH值在9.5-10.5，余量为去离子水。

3.根据权利要求1或2所述的用于硅衬底抛光的抛光液，其特征在于，所述二氧化硅胶体中的二氧化硅颗粒粒径80-110nm，比表面积与粒径存在如下关系：S/D_S²＝0.0020-0.0100。

4.根据权利要求1所述的用于硅衬底抛光的抛光液，其特征在于，所述有机碱采用胺基化合物。

5.根据权利要求4所述的用于硅衬底抛光的抛光液，其特征在于，所述胺基化合物采用氨基醇化合物、多氨基化合物、四甲基氢氧化铵中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的用于硅衬底抛光的抛光液，其特征在于，所述氧化剂采用过硫酸钠、过硫酸钾、双氧水、高氯酸盐、次氯酸盐、二氯异氰尿酸钠、硝酸钠、硝酸铵及有机过氧化物中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的用于硅衬底抛光的抛光液，其特征在于，所述络合剂采用乙二胺四乙酸二钠、四甲基氯化铵中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的用于硅衬底抛光的抛光液，其特征在于，所述pH调节剂采用pH酸性调节剂或pH碱性调节剂，所述pH酸性调节剂采用盐酸、硝酸、草酸、柠檬酸、磷酸、硫酸中的任一种，所述pH碱性调节剂采用无机碱，所述无机碱采用氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠中的任一种。

9.权利要求1-8任一项所述的用于硅衬底抛光的抛光液的制备方法，其特征在于，搅拌条件下，依次向二氧化硅胶体水溶液中加入有机碱、氧化剂、络合剂，最后用pH调节剂调整pH值，补足去离子水调节含量。