[发明专利]一种CMP抛光液的制备方法

权利要求书

1.一种CMP抛光液的制备方法，其特征在于，所述的CMP抛光液包含磨料、表面活性剂、成膜剂、pH值调节剂、抛光促进剂和水，所述的制备方法包括如下步骤：

1)边搅拌边将磨料与水混合，使其混合均匀；

2)在步骤1)的溶液中边搅拌边加入表面活性剂，加入完成后继续搅拌至混合均匀；

3)在步骤2)所得的溶液中边搅拌边加入成膜剂，加入完成后继续搅拌至混合均匀；

4)在步骤3)所得溶液中边搅拌边加入pH值调节剂，加入完成后继续搅拌至混合均匀；

5)在步骤4)所得溶液中边搅拌边加入抛光促进剂，加入完成后继续搅拌至各组分充分混合均匀；

6)对步骤5)所得溶液进行过滤，即得。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磨料中包括两种或两种以上的组分，所述方法还包括将磨料提前混合均匀的操作。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述表面活性剂、成膜剂、pH值调节剂和抛光促进剂在加入溶液之前，先用水对其进行溶解或稀释。

4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，对所述表面活性剂进行溶解或稀释的过程中，添加足量的水并对其进行充分地搅拌。

5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，步骤1)～5)在搅拌的过程中，搅拌器的转速为不使抛光液产生飞溅的最高搅拌速度。

6.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述水为去离子水、纯水或超纯水。

7.根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于，步骤1)～4)的所述继续搅拌的时长均为5～7min；步骤5)的所述继续搅拌的时长为10～15min。

8.根据权利要求1～7任一项所述的方法，其特征在于，所述磨料为硅溶胶、铝溶胶、锆溶胶、铈溶胶或钛溶胶中的一种或几种；

和/或，所述磨料的粒径范围为5nm～150nm、pH值为8～10；优选的，所述磨料的粒径范围为10nm～100nm；

和/或，所述表面活性剂是烷基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、脂肪酸聚氧乙烯酯、聚丙二醇的环氧乙烷加成物、失水山梨醇酯或烷基醇酰胺中的一种或几种组合；

和/或，所述成膜剂是纤维素醚类、丙烯酸共聚物、聚乙烯类共聚物、烃类共聚物或有机硅聚合物中的一种或几种组合，或是其相互改性的产品；

和/或，所述pH值调节剂为氢氧化物、碱性无机盐、伯胺、叔胺、季铵碱或亚胺中的一种或几种组合；

和/或，所述抛光促进剂包括高铁酸盐、过硫酸盐、高锰酸盐、重铬酸盐、高氯酸盐、次氯酸盐或高碘酸盐中的一种或几种组合。

9.权利要求1～8任一项所述方法制备得到的CMP抛光液。

10.根据权利要求9所述的抛光液，其特征在于，所述抛光液中各组分所占的质量百分比为：磨料0.1～50％、表面活性剂0.001～0.4％、成膜剂0.001～0.6％、pH值调节剂0.05～10％、抛光促进剂0.01～4％、水补足100％，抛光液pH值为9.5～12.5。