[发明专利]量子点电致发光器件在审
| 申请号: | 201711376968.4 | 申请日: | 2017-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN108963089A | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
| 发明(设计)人: | 魏雄伟;李哲;黄航;宋晶尧;付东 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 叶丹丹 |
| 地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电致发光器件 量子点 复合功能层 发光层 给体分子 受体分子 阳极层 空穴 供电子基团 激基复合物 量子点材料 材料形成 电流效率 发光效率 | ||
1.一种量子点电致发光器件,其特征在于,包括阳极层、复合功能层以及发光层;所述复合功能层位于所述阳极层和所述发光层之间,且所述复合功能层与所述发光层相接触;其中,所述复合功能层包括至少一种给体分子材料以及至少一种受体分子材料,所述给体分子材料包含至少一种供空穴基团,所述受体分子材料包含至少一种供电子基团,所述给体分子材料与所述受体分子材料形成激基复合物;所述发光层包含至少一种量子点材料。
2.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述给体分子材料的最高占有轨道能级≥5.0eV;所述受体分子材料的最低未占有轨道能级≤3.2eV。
3.根据权利要求2所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述给体分子材料与所述受体分子材料的最高占有轨道能级差≥0.3eV;所述给体分子材料与所述受体分子材料的最低未占有轨道能级差≥0.3eV。
4.根据权利要求3所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述给体分子材料与所述受体分子材料的最高占有轨道能级差为0.3eV-5eV。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述给体分子材料与所述受体分子材料的三线态能级均大于2.6eV,且所述给体分子材料与所述受体分子材料的三线态能级均大于所述激基复合物的三线态能级。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述给体分子材料选自4,4',4”-三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯基胺、4,4’环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]以及6-(9,9-二甲基吖啶-10(9H)-基)-3-甲基-1H-异苯并吡喃-1-酮中的一种或多种。
7.根据权利要求1-4中任一项所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述受体分子材料选自红菲咯啉、3-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-9-苯基-9H-咔唑、1,3,5-三(间-吡啶-3-基苯基)苯、2,4,6-三(3-(吡啶-3-基)苯基)-1,3,5-三嗪以及1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述激基复合物的发射光谱与所述量子点材料的吸收光谱部分重叠。
9.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述复合功能层的厚度为1nm-50nm;所述发光层的厚度为1nm-60nm。
10.根据权利要求1所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述量子点电致发光器件为底发射型器件、顶发射型器件或者倒置型器件。
11.根据权利要求10所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述量子点电致发光器件还包括基板、空穴注入层、电子传输层以及阴极层;所述阳极层位于所述基板上;所述空穴注入层位于所述阳极层和所述复合功能层之间,所述电子传输层位于所述发光层上;所述阴极层位于所述电子传输层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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