[发明专利]一种CMP抛光液及其在GaAs晶片抛光中的应用

权利要求书

1.一种CMP抛光液，其特征在于，每100重量份的抛光液中，包括磨料0.1～50份、表面活性剂0.001～0.4份、成膜剂0.001～0.6份、pH值调节剂0.05～10份、抛光促进剂0.01～4份、余量为去离子水；抛光液pH值范围为9.5～12.5。

2.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于，每100重量份的抛光液中，包括磨料1～45份、表面活性剂0.005～0.2份、成膜剂0.02～0.4份、pH值调节剂0.1～8份、抛光促进剂0.05～2份、余量为去离子水，抛光液pH值范围为10～12。

3.根据权利要求1或2所述的抛光液，其特征在于，所述磨料为硅溶胶、铝溶胶、锆溶胶、铈溶胶和钛溶胶中的一种或几种组合。

4.根据权利要求3所述的抛光液，其特征在于，所述溶胶中磨料的粒径范围为5nm～150nm，所述溶胶的pH值为8～10；优选的，所述溶胶中磨料的粒径范围为10nm～100nm。

5.根据权利要求1或4所述的抛光液，其特征在于，所述表面活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、脂肪酸聚氧乙烯酯、聚丙二醇的环氧乙烷加成物、失水山梨醇酯、吐温或烷基醇酰胺中的一种或几种组合；

优选的，所述表面活性剂为辛基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、烯丙基聚氧乙烯聚氧丙烯环氧基醚、月桂酸二乙醇酰胺、吐温或脂肪酸聚氧乙烯酯。

6.根据权利要求1或5所述的抛光液，其特征在于，所述成膜剂为纤维素醚类、丙烯酸共聚物、聚乙烯类共聚物、烃类共聚物或有机硅聚合物中的一种或几种组合，或是其相互改性的品种；

优选的，所述成膜剂为丙烯酸-丙烯酸羟丙酯共聚物、羧甲基羟乙基纤维素、羟乙基羧甲基纤维素、聚乙烯乙二醇或水溶性硅油。

7.根据权利要求1或6所述的抛光液，其特征在于，所述pH值调节剂为氢氧化物、碱性无机盐或伯胺、叔胺、季铵碱、亚胺中的一种或几种组合；

优选氨水、碳酸钠、三乙醇胺、甲胺、四甲基氢氧化铵、碳酸钠与四甲基氢氧化铵的组合物或甲胺与六次甲基四胺的组合物。

8.根据权利要求1或7所述的抛光液，其特征在于，所述抛光促进剂为高铁酸盐、过硫酸盐、高锰酸盐、重铬酸盐、高氯酸盐、次氯酸盐和高碘酸盐中的一种或几种组合；优选上述化合物的钠盐或钾盐。

9.权利要求1～8任一项所述的抛光液在GaAs晶片抛光中的应用。

10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于，所述抛光液在抛光的过程中多次重复使用。