[发明专利]一种利用钙钛矿量子点形核生长多晶钙钛矿薄膜方法及相关光电器件

权利要求书

1.一种利用钙钛矿量子点形核生长多晶钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，采用反溶剂法制备钙钛矿薄膜，且反溶剂中粒径≤100nm的钙钛矿量子点，浓度为0.001～5mg/ml。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，具体为：将含有钙钛矿量子点的反溶剂加入到钙钛矿前驱体中，在≤150℃的气体氛围下进行热处理，通过量子点诱导形核生长多晶钙钛矿薄膜。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反溶剂为甲苯、氯苯、氯仿、乙醚、乙酸乙酯、乙硫醚等。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所采用的钙钛矿量子点为ABX₃结构的钙钛矿，其中A是有机阳离子或无机离子(CH₃NH₃⁺、HC(NH₂)₂⁺、Cs⁺等)，B是二价的金属阳离子(Pb²⁺、Sn²⁺等)，X是卤素阴离子(Cl^-、Br^-、I^-)。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述气体为空气、氩气、氮气。

6.如权利要求1所述方法制备的钙钛矿薄膜作为钙钛矿太阳能电池的吸收层、发光二极管的载流子复合层的应用。

7.一种光电器件，所述器件为权利要求6所述的钙钛矿太阳能电池、发光二极管。

8.根据权利要求7所述的光电器件，其特征在于，具有p-i-n或n-i-p结构，包括：透明导电衬底、空穴传输(注入)层、钙钛矿吸收或复合层、电子传输(注入)层和电极。

9.根据权利要求8所述的光电器件，其特征在于：所述的透明导电衬底为FTO或ITO导电玻璃、AZO玻璃、聚酰亚胺(PI)、聚酯(PET)、聚醚砜(PES)，聚对萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等。所述的空穴传输(注入)层为NiO、CuI、Cu₂O、CuSCN、氧化还原石墨烯、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、聚3，4-乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、4-丁基-N,N-二苯基苯胺均聚物、聚乙烯咔唑等。所述的电子传输(或注入)层为TiO₂、SnO₂、ZnO、C₆₀、石墨烯、富勒烯衍生物[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)、LiF、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、MoO₃等。所述的电极为金、钯、银、钛、铬、镍、铝、铜等，其中的一种或者几种的复合电极；或上述金属的纳米线结构透明电极，非金属掺铟氧化锡、碳电极等。