[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法和应用有效
申请号: | 201711375252.2 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN109935725B | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 曹蔚然;杨一行;向超宇;钱磊;梁柱荣 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 李艳丽 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子 发光二极管 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种量子点发光二极管,包括阳极层和阴极层以及层叠结合在所述阳极层和阴极层之间的发光功能层,其特征在于:所述发光功能层包括层叠结合的N层发光薄膜,且第1层至第N-1层发光薄膜为量子点发光薄膜,第N层发光薄膜为量子点发光薄膜或有机发光薄膜,所述N为2≤N≤10的正整数。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于:在所述发光薄膜层叠结合的两个相对的表面中,至少一个表面的至少在表层中所含的量子点表面结合有置换配体,所述置换配体的结构通式为X1-R-X2,且所述置换配体之间交联;其中,所述R为烃基或烃基衍生物,所述X1和X2为与所述量子点表面相结合的官能团。
3.如权利要求2所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述X1为-SH、-COOH、-NH2、-OH、-NO2、-SO3H、膦基、磷酸基中的一种;或/和
所述X2为-SH、-COOH、-NH2、-OH、-NO2、-SO3H、膦基、磷酸基中的一种;和/或
所述R为饱和烷烃基、不饱和烷烃基、芳香烃基中的至少一种。
4.如权利要求2或3如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述R包括苯基、-C=C-、-C≡C-、-C=O、-N=N-、-C≡N、-C=N-中的至少一种。
5.根据权利要求1-3任一所述的量子点发光二极管,其特征在于:所述置换配体为1,2-乙二硫醇、1,4-丁二硫醇、1,6-己二硫醇、1,8-辛二硫醇、1,4-苯二硫醇、1,4-苯二甲硫醇、巯基乙胺、巯基丙胺、巯基乙酸、3-巯基丙酸、3-巯基丁酸、6-巯基己酸、1,2-乙二胺、1,3-丙二胺、1,4-丁二胺、1,5-戊二胺、1,6-己二胺、4-巯基苯甲酸、巯基甘油、1-三甲基胺乙硫醇、硝基苯硫醇、磺基苯硫醇、巯基苯乙酸、硝基苯磺酸、苯二胺、巯基苯胺、硝基苯胺、磺基苯胺、对苯二甲酸、对苯二乙酸、氨基苯甲酸、4-(二苯基膦基)苯甲酸、对苯二胺、间苯二胺、对苯二腈、间苯二腈、对苯二硫醇、间苯二硫醇、间苯二甲酸、2-巯基苯甲酸、4-巯基苯甲酸、4-氨基苯甲酸、4-羟基苯甲酸、对磺基苯甲酸、对硝基苯甲酸、4-巯基苯胺、4-羟基苯胺、4-氰基苯胺、4-巯基苯乙烯酸、4-羟基苯乙烯酸、2-(4-羟基苯基)吡啶、2-氯-5-氰基噻唑、2-氨基-3-氰基噻吩、1,5-二巯基萘、1,5-二羟基萘、1,4-萘二甲酸、2,6-萘二磺酸、3-氨基-5-巯基-1,2,4-三氮唑中的一种或多种。
6.根据权利要求1-4任一所述的量子点发光二极管,其特征在于:所述N层发光薄膜为层叠结合的红光量子点发光薄膜、绿光量子点发薄膜和蓝光量子点发薄膜构成的发白光薄膜。
7.一种量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在量子点发光二极管空穴或电子功能层表面形成第1量子点薄膜,重复形成所述量子点薄膜的步骤,在所述第1量子点薄膜表面形成第2量子点薄膜,在所述第2量子点薄膜表面形成第3量子点薄膜,直至在第N-2量子点薄膜表面形成第N-1量子点薄膜,最后在所述第N-1量子点薄膜表面层形成第N量子点发光薄膜或有机发光薄膜,其中,N为2≤N≤10的正整数。
8.如权利要求7所述的制备方法,其特征在于,形成所述第1量子点薄膜至第N-1量子点薄膜的方法如下:
先将表面结合有初始配体的量子点在相应的所述功能层表面形成第1量子点预薄膜,然后将所述第1量子点预薄膜与置换配体溶液进行原位配体交换,使得所述第1量子点预薄膜的至少在表层中量子点表面结合的所述初始配体置换为置换配体,形成所述第1量子点薄膜,重复进行所述第1量子点薄膜的形成步骤,在所述第1量子点薄膜表面形成第2量子点薄膜,在所述第2量子点薄膜表面形成第3量子点薄膜,直至在第N-2量子点薄膜表面形成所述第N-1量子点薄膜。
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