[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201711373914.2 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108011291A | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 胡双元;颜建 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 马永芬 |
| 地址： | 215614 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：
衬底；
并列形成在所述衬底上的检测组件和发光组件；
所述发光组件中的有源层在所述检测组件上的投影，落入所述检测组件中的吸收层的范围内。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述发光组件在靠近所述检测组件的一侧设置有第一功能层，在远离所述检测组件的一侧设置有第二功能层。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述有源层在所述第一功能层上的投影，落入所述第一功能层的范围内；
和/或，
所述有源层在所述第二功能层上的投影，落入所述第二功能层的范围内。
4.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一功能层为反射层，所述第二功能层为增透层。
5.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，
所述发光组件包括层叠设置的第一半导体层，所述有源层以及第二半导体层，所述第一半导体层靠近所述衬底设置。
6.根据权利要求5所述的半导体激光器，其特征在于，还包括层叠设置在所述第二半导体层上的第一电极层。
7.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述检测组件包括层叠设置的第三半导体层，所述吸收层，以及第四半导层，所述第三半导体层靠近所述衬底设置。
8.根据权利要求7所述的半导体激光器，其特征在于，还包括层叠设置在所述第四半导体层上的第二电极层。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体激光器，其特征在于，还包括层叠设置在所述衬底远离所述发光组件的一侧的第三电极层。
10.一种半导体激光器的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底划分出发光组件区和检测组件区；
在所述发光组件区上形成发光组件；
在所述检测组件区上形成检测组件，所述发光组件中的有源层在所述检测组件上的投影，落入所述检测组件中的吸收层的范围内。
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