[发明专利]芯片表层蒸发锡工艺

权利要求书

1.一种芯片表层蒸发锡工艺，其特征在于：该工艺是在常规芯片结构的正面金属上采用真空蒸发锡，获得正面金属表层为锡连接层的芯片。

2.根据权利要求1所述的芯片表层蒸发锡工艺，其特征在于：该方法具体包括如下步骤：

(1)蒸发前清洗：

制备芯片正面金属前，首先采用硫酸和双氧水的混合溶液对芯片进行清洗，清洗时间10分钟，然后采用氢氟酸漂洗30秒；

(2)芯片正面金属制备：

采用不同的坩埚分别盛装要蒸发的金属，采用MARK50蒸发台进行芯片正面金属的蒸发；其中：底层金属为Ti，层厚为100-300nm；次表层金属为Al或Ag，厚度为2000-3000nm；表层金属为Sn，层厚为2000-3000nm。

3.根据权利要求2所述的芯片表层蒸发锡工艺，其特征在于：步骤(1)中，所述硫酸和双氧水的混合溶液是将浓度98wt.％硫酸和浓度30wt.％双氧水按照5：1的体积比例混合而成；所述氢氟酸是将氟化氢和水按照1：40的体积比例混合而成。

4.根据权利要求2所述的芯片表层蒸发锡工艺，其特征在于：在芯片清洗结束到入锅蒸发的时间差应小于30分钟，否则做清洗返工处理。

5.根据权利要求2所述的芯片表层蒸发锡工艺，其特征在于：步骤(2)蒸发过程中，对蒸发台腔体内充入惰性气体，当温度达到设定温度前，腔体内真空度为4.0E-6Torr；当温度达到设定温度后，真空度达到2.0E-6Torr。

6.根据权利要求5所述的芯片表层蒸发锡工艺，其特征在于：所述设定温度是指各层金属的蒸发温度。

7.根据权利要求2所述的芯片表层蒸发锡工艺，其特征在于：步骤(2)中，蒸发前坩埚内盛装金属的容积占坩埚容量的2/3～4/5。

8.根据权利要求2所述的芯片表层蒸发锡工艺，其特征在于：蒸发金属结束后，降温30分钟，开腔取片；然后在芯片的Sn表层依次进行金属刻蚀和划片，形成表层带锡的独立芯粒，便于后续的芯粒间的直接互连。

9.根据权利要求1所述的芯片表层蒸发锡工艺，其特征在于：在常规芯片结构的背面制备Sn金属层。

10.根据权利要求1或9所述的芯片表层蒸发锡工艺，其特征在于：该工艺用于肖特基二极管，进行表层蒸发锡后，正面金属为Ti/Ni/Ag/Sn或Ti/Ni/Al/Sn多层金属结构。