[发明专利]一种提高HVPE中III-氮化物材料掺杂效率的方法和装置在审
| 申请号： | 201711372599.1 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108118390A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 熊欢;何进密;刘南柳;汪青;张远浩 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C30B29/40;C30B31/08;C30B31/16 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 罗晓林;杨桂洋 |
| 地址： | 523000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属源 输送管路 掺杂 氮化物材料 方法和装置 衬底表面 气体输送 氨气 气体反应 掺杂源 支撑托 衬底 可控 填充 生长 | ||
1.一种提高HVPE中III-氮化物材料掺杂效率的方法，包括以下步骤：
HCl气体从金属源输送管路输送，同时往金属源输送管路中输入掺杂源气体与HCl气体混合并在400～1400℃的反应温度下进行反应，然后再将气体输送到填充有金属源的金属源舟中，与金属源在500～1400℃的反应温度下反应，最后将气体输送到衬底表面与NH3 气体反应进行III-氮化物材料的掺杂生长。
2.根据权利要求1所述的提高HVPE中III-氮化物材料掺杂效率的方法，其特征在于，所述金属源是单质金属Ga、Al或In，或者混合金属源，所述的衬底放置在支撑托上，NH3从氨气输送管路输送至衬底表面。
3.根据权利要求2所述的提高HVPE中III-氮化物材料掺杂效率的方法，其特征在于，所述掺杂源气体为硅烷、SiH3Cl、二茂镁或二茂铁。
4.一种提高HVPE中III-氮化物材料掺杂效率的装置，其特征在于，包括：
支撑托，该支撑托上设置有衬底；
氨气输送管路，该氨气输送管路的出口端延伸至衬底上方；
金属源管路，该金属源管路的出口端延伸至衬底上方，金属源管路的进口端还与掺杂源气体管路连通，金属源管路与填充有金属源的金属源舟连通。
5.根据权利要求4所述的提高HVPE中III-氮化物材料掺杂效率的装置，其特征在于，所述金属源舟与金属源管路的进口端正对设置，与金属源管路的出口端错位设置。
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