[发明专利]半导体器件及制造其的方法

说明书

可以提供一种半导体器件，其包括具有第一沟槽的衬底、在第一沟槽的内侧面上的第一绝缘衬垫、以及在第一子沟槽的内侧面上的第二绝缘衬垫，第一子沟槽由第一沟槽中的第一绝缘衬垫限定，在垂直于衬底的顶表面的方向上邻接第一子沟槽的内侧面的第二绝缘衬垫的顶部水平不同于第一沟槽外部的衬底的顶表面。

技术领域

本公开涉及半导体器件和/或制造其的方法，更具体地，涉及在衬底中包括器件隔离膜的半导体器件和/或制造该半导体器件的方法。

背景技术

随着半导体器件的集成度增加，用于将相邻的器件彼此电隔离的器件隔离技术正变得越来越重要。特别是，沟槽型器件隔离结构由于其窄的宽度和提高的器件隔离性能而被广泛使用。

发明内容

本公开的一些示例实施方式提供可减少或防止从后续工艺进入的材料留在器件隔离结构与衬底的有源区域之间的半导体器件和/或其制造方法。

根据本公开的一示例实施方式，一种半导体器件包括：具有第一沟槽的衬底、在第一沟槽的内侧面上的第一绝缘衬垫、以及在第一子沟槽的内侧面上的第二绝缘衬垫，第一子沟槽由第一沟槽中的第一绝缘衬垫限定，在垂直于衬底的顶表面的方向上邻接第一子沟槽的内侧面的第二绝缘衬垫的顶部水平不同于衬底的顶表面。

根据本公开的一示例实施方式，一种半导体器件包括：包含多个沟槽的衬底、在所述多个沟槽的每个的内侧面上的第一绝缘衬垫、以及在多个第一子沟槽的每个的内侧面上的第二绝缘衬垫，所述多个第一子沟槽的每个由所述多个沟槽的每个中的第一绝缘衬垫限定，所述多个沟槽中的至少两个中的第二绝缘衬垫在垂直于衬底的顶表面的方向上具有不同的顶部水平。

根据本公开的一示例实施方式，一种半导体器件包括：包含第一沟槽的衬底、沿着第一沟槽的底部和侧壁的第一绝缘衬垫、以及沿着第一绝缘衬垫的底部和侧壁的第二绝缘衬垫，第二绝缘衬垫相对于第一绝缘衬垫具有蚀刻选择性，第二绝缘衬垫的顶部水平不同于第一沟槽外部的衬底的顶表面。

附图说明

图1A是示出根据本公开的一示例实施方式的半导体器件的剖视图。

图1B是图1A中的区域IB的放大图。

图1C是用于说明图1A中的半导体器件的效果的剖视图。

图1D是图1C中的区域IB的放大图。

图1E是示出根据本公开的一示例实施方式的半导体器件的剖视图。

图2A是示出根据本公开的一示例实施方式的半导体器件的剖视图。

图2B是图2A中的区域IIB的放大图。

图3A是示出根据本公开的一示例实施方式的半导体器件的剖视图。

图3B是图3A中的区域IIIB的放大图。

图3C和3D是根据另一示例实施方式的对应于图3A中的区域IIIB的放大图。

图4是示出根据本公开的一示例实施方式的半导体器件的剖视图。

图5A至5G是示出根据本公开的一示例实施方式的半导体器件的制造工艺的剖视图。

图6A和6B是示出根据本公开的另一示例实施方式的半导体器件的制造工艺的剖视图。

图7A至7J是示出根据本公开的又一示例实施方式的半导体器件的制造工艺的剖视图。

图8A至8E是示出根据本公开的又一示例实施方式的半导体器件的制造工艺的剖视图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细描述本公开的一些示例实施方式。相同或相似的附图标记用于附图中相同的元件，并且可以省略重复描述。