[发明专利]用于远程等离子体处理的室调节

权利要求书

1.一种用于处理衬底的方法，其包括：

在远程等离子体处理室上执行调节处理，所述调节处理包括：

将含氟气体引入等离子体发生器以产生含氟调节等离子体；

将所述含氟调节等离子体引入所述远程等离子体处理室，其中所述远程等离子体处理室包括衬底支撑件和喷头，并且所述喷头布置在所述衬底支撑件和所述等离子体发生器之间，并且其中在所述调节处理期间，在所述远程等离子体处理室中不存在制造衬底，以及所述含氟调节等离子体钝化所述远程离子体处理室的表面，其中所述调节处理进一步包括：将含氮化合物引入所述等离子体发生器以产生不含氟的基于氮的调节等离子体，以及将所述不含氟的基于氮的调节等离子体引入到所述远程等离子体处理室；

在执行所述调节处理之后，将制造衬底引入所述远程等离子体处理室；以及

将所述制造衬底暴露于远程产生的基于氮的等离子体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述制造衬底包括待填充的一个或多个特征。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述远程产生的基于氮的等离子体由N₂气体产生。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述远程产生的基于氮的等离子体由含氮化合物产生。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其还包括：将一个或多个附加的制造衬底顺序地引入到所述远程等离子体处理室，以及将每个附加的制造衬底暴露于远程产生的基于氮的等离子体。

6.根据权利要求5所述的方法，其中在执行另一调节处理之前将至少三个制造衬底引入到所述远程等离子体处理室。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中所述制造衬底包括待填充的一个或多个特征，以及所述远程产生的基于氮的等离子体相对于所述特征的内部选择性地抑制在所述特征的特征开口附近的成核。

8.如权利要求7所述的方法，其还包括：在所述特征中，相对于所述特征开口附近，在所述特征的内部选择性地沉积钨或钴。

9.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中所述调节处理包括在一个或多个室部件上形成含氟层。

10.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中所述调节处理包括在一个或多个室部件上形成氟化铝层。

11.一种用于处理衬底的方法，其包括：

执行多个调节和处理循环以在远程等离子体处理室中顺序地处理多个衬底，其中每个循环包括：

a)执行调节处理，其包括：

i)将含氟气体引入等离子体发生器以产生含氟调节等离子体；以及

ii)将所述含氟调节等离子体引入所述远程等离子体处理室，

iii)将含氮化合物引入所述等离子体发生器以产生不含氟的基于氮的调节等离子体，以及将所述不含氟的基于氮的调节等离子体引入到所述远程等离子体处理室，其中所述远程等离子体处理室包括衬底支撑件和喷头，并且所述喷头布置在所述衬底支撑件和所述等离子体发生器之间，并且其中在所述调节处理期间，所述远程等离子体处理室中不存在制造衬底，其中所述含氟调节等离子体钝化所述远程离子体处理室的表面；以及

b)在所述调节处理之后且在重复所述调节处理之前，执行多个氮等离子体暴露处理，每个所述氮等离子体暴露处理包括：

i)将制造衬底引入所述远程等离子体处理室；

ii)将所述制造衬底暴露于远程产生的基于氮的等离子体；以及

iii)从所述远程等离子体处理室移除所述制造衬底。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述制造衬底包括待填充的一个或多个特征。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述远程产生的基于氮的等离子体是由N₂气体产生的。