[发明专利]一种钙钛矿光电晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种钙钛矿光电晶体管，其特征在于，所述钙钛矿光电晶体管包括，基础衬底，位于基础衬底上的源漏金属电极(4)，金属氧化物半导体薄膜(5)，所述金属氧化物半导体薄膜(5)上覆盖有电荷传输界面层(6)，所述电荷传输界面层(6)上方有图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层(7)，所述电荷传输界面层(6)至少将图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层(7)与源漏金属电极(4)、金属氧化物半导体薄膜(5)分隔开，所述基础衬底的上方设有一层钝化层(8)，所述钝化层(8)将所述电荷传输界面层(6)、所述图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层(7)全部覆盖。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿光电晶体管，其特征在于，所述基础衬底包括：衬底(1)，位于衬底(1)上的栅极(2)，位于栅极(2)上的栅极绝缘层(3)；所述衬底(1)为：硅衬底、玻璃衬底、石英衬底、聚酰亚胺PI衬底、聚对苯二甲酸乙二醇酯PET衬底和聚萘二甲酸乙二醇酯PEN衬底。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿光电晶体管，其特征在于，所述基础衬底为覆盖有二氧化硅的硅衬底(9)。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿光电晶体管，其特征在于，

所述金属电极(4)和金属氧化物半导体薄膜(5)在同一平面上：所述基础衬底上表面沉积有金属电极(4)，所述金属氧化物半导体薄膜(5)覆盖在金属电极(4)沟道处；或者所述金属氧化物半导体薄膜(5)将金属电极(4)完全覆盖。

5.根据权利要求1所述的钙钛矿光电晶体管，其特征在于，

所述电荷传输界面层(6)将所述基础衬底、源漏金属电极(4)和金属氧化物(5)完全覆盖；

所述电荷传输界面层(6)的材料包括：富勒烯C60、富勒烯衍生物PCBM、富勒烯衍生物ICBA、富勒烯及其衍生物与聚甲基丙烯酸甲酯PMMA的共混体；

所述电荷传输界面层(6)的厚度为10nm至50nm；

所述图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层(7)位于金属氧化物半导体薄膜(5)正上方，并且投影面积小于所述金属氧化物半导体薄膜(5)；

所述图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层(7)的材料的化学式为ABX3，A包括CH3NH3+、NH2CHNH2+、CS+、Rb+，B包括Pb2+、Sn2+、Ge2+、Sr2+、Cu2+、Bi3+、Sb3+，X包括I-、Cl-或Br-；

所述图形化的有机无机杂化钙钛矿(7)厚度20nm至2um；

所述金属氧化物半导体薄膜的(5)的材料包括：铟镓锌氧化物IGZO、铟锌锡氧化物IZTO、掺铝氧化锌AZO、锌锡氧化物ZTO、镁锌氧化物MZO；

所述金属氧化物半导体薄膜(5)的厚度为10nm至100nm；

所述钝化层(8)的材料包括：聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、全氟树脂CYTOP、氧化硅SiOx、氮化硅SiNx和氧化铝Al2O3；

所述钝化层的厚度20nm至900nm。