[发明专利]一种激光辐射源植物生长装置

权利要求书

1.一种激光辐射源植物生长装置，其特征在于，包括保护外壳、纳米导光板、纳米涂层反光罩、半导体激光器、激光控制机构和电源； 所述纳米涂层反光罩呈凹面状，并具有一容置空间，且其上开设有多个通孔；所述半导 体激光器的数量与所述通孔的数量相同，且固定于所述通孔内，并使得所述半导体激光器 的发光端位于所述纳米涂层反光罩的容置空间内； 所述纳米涂层反光罩固定于所述保护外壳内，所述纳米导光板固定于所述保护外壳的 开口上，从而覆盖所述保护外壳的开口； 所述激光控制机构与所述半导体激光器连接，用于控制半导体激光器所发射的激光光 质、光照强度与光照时间； 所述电源与所述激光控制机构连接，以对所述激光控制机构供电。

2. 根据权利要求1所述的激光辐射源植物生长装置，其特征在于，所述半导体激光器包 括发射紫外光的半导体激光器，其发射的激光波长为380nm；发射蓝紫光的半导体激光器， 其发射的激光波长为405nm；发射蓝光的半导体激光器，其发射的激光波长为450nm；发射红 光的半导体激光器，其发射的激光波长为660nm；发射远红光的半导体激光器，其发射的激 光波长为730nm。

3. 根据权利要求2所述的激光辐射源植物生长装置，其特征在于，所述激光控制机构包 括控制器U1、驱动器和激光脉冲发生电路； 所述控制器U1与所述驱动器信号连接，所述驱动器与所述激光脉冲发生电路信号连 接，所述激光脉冲发生电路与所述半导体激光器电路连接。

4. 根据权利要求3所述的激光辐射源植物生长装置，其特征在于，所述红光与蓝光的光 质配比比例为(4～10)：1；所述红光与远红光的光质配比比例为(2～8)：1。

5. 根据权利要求4所述的激光辐射源植物生长装置，其特征在于，还包括光照强度传感 器，所述光照强度传感器与所述控制器U1信号连接。

6. 根据权利要求5所述的激光辐射源植物生长装置，其特征在于，所述纳米涂层反光罩 和纳米导光板均为方形。

7. 根据权利要求6所述的激光辐射源植物生长装置，其特征在于，所述纳米导光板为外 凸的弧形板。