[发明专利]一种用于TLC类型SSD的磨损均衡方法及SSD在审
申请号: | 201711370577.1 | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN108255419A | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
发明(设计)人: | 肖锐 | 申请(专利权)人: | 深圳忆联信息系统有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 广东广和律师事务所 44298 | 代理人: | 董红海 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磨损均衡 热数据 冷数据 擦写 写入 存储 存储数据 动态调整 动态确定 读写性能 固态硬盘 区域迁移 循环队列 大容量 可擦写 数据量 磨损 迁移 统计 | ||
本发明公开了一种用于TLC类型SSD的磨损均衡方法及固态硬盘,特征在于同时包括了SLC区域内磨损均衡、TLC区域内磨损均衡和区域间磨损均衡,SLC区域内磨损均衡通过将SLC区域作为循环队列,TLC区域内磨损均衡通过统计各个block的擦写次数,优先选择擦写次数少的block用于存储数据,所述区域间磨损均衡为根据热数据识别阀值将SLC中的数据分为冷数据和热数据,将冷数据从SLC区域迁移到TLC区域,所述热数据识别阀值根据磨损速率来动态确定。利用SLC读写性能高和可擦写次数多的优点存储热数据,利用大容量的TLC存储冷数据,从而达到成本、容量、寿命、性能的折中。通过使用动态调整热数据阈值来降低冷数据写入SLC、热数据被写入TLC的几率,降低SLC向TLC迁移的数据量。
技术领域
本发明涉及固态硬盘控制技术,特别涉及一种用于TLC类型SSD的磨损均衡方法及SSD。
背景技术
目前,随着固态硬盘SSD(solid state disk)表现出比传统机械硬盘更优的特点,SSD具有读写性能高、功耗低、体积小等有点,已经在多个领域逐渐替代机械硬盘。
随着NANDflash技术的发展,SSD已经从使用SLC(single level cell)转变为使用TLC(triple level cell)。如果只是使用将TLC颗粒中的所有block作为TLC使用,会造成SSD成本相对比较高和寿命短的缺点,将TLC颗粒中部分block开成SLC部分开成TLC已经成为一种趋势。由于TLC类型的各个Block的擦写寿命都有限,为了提高其整体使用寿命,必须要对其进行磨损均衡,而且磨损均衡策略的选择非常重要,如果磨损均衡策略不好,还可能带来写放大,降低其使用寿命的问题。
图1是现有TLC类型SSD数据均衡策略示意图,使用单一TLC存储介质的SSD存在成本高、寿命短的缺点。一般将TLC中的部分区域强制转化为SLC类型,这样SSD存在SLC区域SLC region和TLC区域TLC region;一般采用如下的磨损均衡策略,主机通知SSD有新的写入指令,写命令数据进入主机数据过滤器Hot data filter,使用SLC向TLC迁移的数据量作为阈值进行冷热数据判断,具体为:根据迁移数据量的大小作为阈值,比如阈值为128KB,如果数据量大于128KB认为是热数据,否则认为是冷数据。如果大于阈值被判断为热数据写入SLC,如果小于阈值被判断为冷数据写入TLC;经过冷热数据判断后进行地址映射addressmapping,根据数据类型分别进行数据映射热数据进行SLC mapping,冷数据进行TLCmapping;经过address mapping后,数据会被写入SLC region或者TLC region将过滤器判断为热数据的数据写入SLC区域,冷数据写入TLC区域,SLC区域达到预想设定的阀值时或触发垃圾回收操作GC时将SLC中的便冷的冷数据迁移到TLC中,这样会造成SLC中存在大量不必要的写操作及大量从SLC区域向TLC区域的数据迁移,这样必然带来大量的写放大问题。
现有TLC垃圾回收流程如下,SLC region中分为主机数据区域hot region和冷区域热数据区region,数据优先写入hot数据区;当hot数据区启动时,将数据复制到warm数据区;当warm数据区进行垃圾回收时,根据N次机会原则将循环周期数达到N次的有效数据迁移到TLC数据区,否则留在warm数据区;TLC数据区按照普通垃圾回收机制进行。现有TLCSSD一方面能够延长热数据在SLC中停留的时间,提高了SSD使用初始阶段的性能;另一方面这种机制增加了SLC内部的数据迁移次数,增加了SLC垃圾回收开销和磨损程度,有时候得不偿失。
发明内容
针对以上缺陷,本发明目的是如何降低由于SLC区域数据均衡到TLC区域造成的数据读写概率,进而实现降低写放大问题。
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