[发明专利]一种N型IBC太阳电池的制作方法

权利要求书

1.一种N型IBC太阳电池的制作方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：

硅片双面清洗；

硅片背面硼扩散；

扩散面掩膜(SiN_x)等离子化学气相沉积；

硅片正面单面制绒；

正面硼扩散形成前浮动发射极(FFE)；

硅片双面硼玻璃(BSG)及掩膜(SiN_x)去除；

硅片前表面钝化及减反膜等离子化学沉积SiO₂/SiN_x；

硅片背面硼扩散面激光图形化；

激光图形化的部分磷扩散形成背表面场(BSF)；

硅片背面钝化膜(SiO₂)沉积，用炉管干氧法；

丝网印刷硼电极(正电极)；

丝网印刷磷电极(负电极)；

硅片烧结处理。

2.根据权利要求1所述的一种N型IBC太阳电池的制作方法，其特征在于：所述硅片为150微米厚N型单晶硅片，电池受光面积为239cm²，比电阻为3-10Ω·cm。

3.根据权利要求1所述的一种N型IBC太阳电池的制作方法，其特征在于：所述硅片正面硼扩散形成前浮动发射极(FFE)，扩硼后的方阻为80-120Ω/sq。

4.根据权利要求1所述的一种N型IBC太阳电池的制作方法，其特征在于：所述背表面场(BSF)区域的宽度为400-1200微米，背发射极(Emitter)区域和背表面场(BSF)区域可等宽度设计。

5.根据权利要求1所述的一种N型IBC太阳电池的制作方法，其特征在于：所述硅片背面钝化膜用炉管干氧法生长二氧化硅的厚度为15-25纳米。

6.根据权利要求1所述的一种N型IBC太阳电池的制作方法，其特征在于：所述丝网印刷正负电极的正负极单独印刷，正电极用掺杂硼的银浆印刷，负电极用掺杂磷的银浆印刷。