[发明专利]一种微纳弯曲结构的制备方法

权利要求书

1.一种微纳弯曲结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

s1、在基底上制备悬空材料；

s2、在所述悬空材料上旋涂光刻胶，并通过曝光所述光刻胶以制备预定图形；

s3、通过刻蚀将所述预定图形转移至所述悬空材料上；

s4、去胶处理，并在所述悬空材料上进行材料沉积，以获得所述悬空材料和沉积材料的双层悬空膜结构；

s5、将所述双层悬空膜结构进行离子束诱导变形，得到微纳弯曲结构。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，s1中所述悬空材料为通过薄膜转移得到的金属薄膜、介质薄膜、二维材料中的一种，或者是氮化硅薄膜窗口、二氧化硅薄膜窗口、多孔硅薄膜窗口中的一种。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，s2中所述预定图形为单次曝光的图形，或者通过套刻得到的多层图形。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，s3中所述刻蚀为采用干法刻蚀技术或物理化学刻蚀。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，s4中所述沉积材料包括金属材料、介质材料或半导体材料。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，s4中所述沉积材料通过物理沉积方法或化学气相沉积方法进行沉积。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，s4中所述去胶处理采用去胶液进行去胶，或者采用刻蚀的方法进行去胶。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，s5中所述的离子束是离子铣方法产生的离子束，或者是聚焦离子束系统所产生的离子束，或者是反应离子刻蚀形成的等离子体环境。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，制备的所述微纳弯曲结构的形状、大小和面积可以调控。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，通过控制双层悬空膜结构的厚度或/及控制曝光图形和离子束辐照剂量实现对所述微纳弯曲结构的形状、大小和面积进行调控。