[发明专利]有机发光二极管及其空穴传输层的制备方法有效
| 申请号： | 201711368283.5 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN108987590B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 魏雄伟;于磊;李哲;宋晶尧;付东 | 申请（专利权）人： | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56;H01L51/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 向薇 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 发光二极管 及其 空穴 传输 制备 方法 | ||
1.一种有机发光二极管的空穴传输层的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层的材料包括有机极性材料；
所述制备方法包括获取预制件，以及采用蒸镀的方式在所述预制件的表面沉积所述有机极性材料，形成所述空穴传输层；
在所述蒸镀的过程中，同时施加垂直于所述预制件的表面的电场；所述电场为脉冲信号控制的电场或交变信号控制的电场；所述脉冲信号控制的电场的强度为10～50kv/cm，脉冲周期T1为0＜T1≤100μs。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管的空穴传输层的制备方法，其特征在于，
所述交变信号控制的电场的强度为10～50kv/cm，交变周期T2为0＜T2≤100μs。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管的空穴传输层的制备方法，其特征在于，所述脉冲信号控制的电场的强度为20～30kv/cm，脉冲周期T1为4≤T1≤20μs；
所述交变信号控制的电场的强度为10～30kv/cm，交变周期T2为10≤T2≤50μs。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管的空穴传输层的制备方法，其特征在于，所述有机极性材料选自Spiro-NPB、TAPC、TCTA中的至少一种。
5.根据权利要求1-4任一项所述的有机发光二极管的空穴传输层的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为1～150nm。
6.权利要求1-5任一项所述的制备方法制备得到的有机发光二极管的空穴传输层。
7.一种有机发光二极管，其特征在于，包括基板，以及依次层叠于基板之上的空穴注入层、权利要求6所述的空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的材料选自TPBi、Bpy-OXD中的至少一种，厚度为30～80nm。
9.根据权利要求7或8所述的有机发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层的材料选自HAT-CN、m-MTDATA中的至少一种，厚度为1～100nm；
所述发光层的材料为主体材料和客体材料掺杂体系，所述主体材料为CDBP，所述客体材料选自Ir(ppy)2(acac)、Ir(dmppy-pro)2tmd中的至少一种，所述客体材料占所述发光层的材料的3～11wt％，所述发光层的厚度为20～50nm；
所述电子注入层的材料为LiF，厚度为0.8～1.2nm。
10.权利要求7-9任一项所述的有机发光二极管在显示或照明装置中的应用。
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