[发明专利]具备EDAC功能SRAM的软错误率预计方法与系统

权利要求书

1.一种具备EDAC功能SRAM的软错误率预计方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取具备EDAC功能SRAM器件的原始软错误率，所述原始软错误率为所述具备EDAC功能SRAM器件在关闭EDAC功能时在空间应用条件下的软错误率；

获取所述具备EDAC功能SRAM器件的目标软错误率与所述原始软错误率的关联关系，所述目标软错误率为所述具备EDAC功能SRAM器件在开启EDAC功能时在空间应用条件下的软错误率；

根据所述原始软错误率和所述关联关系获取所述具备EDAC功能SRAM器件目标软错误率，其中，所述获取具备EDAC功能SRAM器件的目标软错误率与所述原始软错误率的关联关系的步骤包括以下步骤：获取SRAM器件的刷新周期、SRAM器件单个字内的位数和EDAC电路的敏感位数；

根据所述原始软错误率、SRAM器件的刷新周期和SRAM器件单个字内的位数获取SRAM器件在单个刷新周期内单个字中发生错误的位数为2的概率；

根据所述原始软错误率和EDAC电路的敏感位数获取EDAC电路发生错误的概率；

根据所述SRAM器件在单个刷新周期内单个字中发生错误的位数为2的概率以及EDAC电路发生错误的概率，获取具备EDAC功能SRAM器件的目标软错误率与所述原始软错误率的关联关系。

2.根据权利要求1所述的具备EDAC功能SRAM的软错误率预计方法，其特征在于，所述获取具备EDAC功能SRAM器件的原始软错误率的步骤包括以下步骤：

关闭所述具备EDAC功能SRAM器件的EDAC功能；

利用地面加速器对已关闭EDAC功能的SRAM器件进行辐照，获取所述具备EDAC功能SRAM器件的单粒子翻转截面参数；

获取辐照过程所使用粒子的粒子参数；

根据所述粒子参数以及所述单粒子翻转截面参数获取所述原始软错误率。

3.根据权利要求1所述的具备EDAC功能SRAM的软错误率预计方法，其特征在于，所述SRAM器件在单个刷新周期内单个字中发生错误的位数为2的概率根据以下函数关系式获取：

其中，R_SRAM为SRAM器件在单个刷新周期内单个字中发生错误的位数为2的概率，T_scrub为SRAM器件的刷新周期，N_b为单个字内的位数，R_raw为原始软错误率。

4.根据权利要求1所述的具备EDAC功能SRAM的软错误率预计方法，其特征在于，所述EDAC电路发生错误的概率根据以下函数关系式获取：

R_EDAC＝N_EDAC×R_RAW

其中，R_EDAC为EDAC电路发生错误的概率，N_EDAC为EDAC电路的敏感位数，R_raw为原始软错误率。

5.一种具备EDAC功能SRAM的软错误率预计方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取具备EDAC功能SRAM器件的原始软错误率，所述原始软错误率为所述具备EDAC功能SRAM器件在关闭EDAC功能时在空间应用条件下的软错误率；

获取所述具备EDAC功能SRAM器件的目标软错误率与所述原始软错误率的关联关系，所述目标软错误率为所述具备EDAC功能SRAM器件在开启EDAC功能时在空间应用条件下的软错误率；

根据所述原始软错误率和所述关联关系获取所述具备EDAC功能SRAM器件目标软错误率，其中，所述获取具备EDAC功能SRAM器件的目标软错误率与所述原始软错误率的关联关系的步骤包括以下步骤：通过地面加速器获取所述具备EDAC功能SRAM器件的实验原始软错误率与实验目标软错误率的多组数据点；对所述多组数据点进行拟合，根据拟合结果获取所述关联关系。