[发明专利]大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法和系统在审
| 申请号： | 201711368149.5 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN108133731A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 张战刚;雷志锋;何玉娟;彭超;师谦;黄云;恩云飞 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56;G01R31/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘艳丽 |
| 地址： | 510610 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测量数据 失效率 单粒子效应检测 单粒子效应 总容量 诱发 准确度 电子器件 准确定量 检测 辐射 | ||
1.一种大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
对SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测，获取SRAM阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据；
获取所述SRAM阵列的总容量；
根据所述测量数据以及所述SRAM阵列的总容量获取SRAM器件失效率。
2.根据权利要求1所述的大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法，其特征在于，所述测量数据包括单粒子翻转数和测量时间；
所述根据所述测量数据以及所述SRAM阵列的总容量获取SRAM器件失效率的步骤包括以下步骤：
根据所述单粒子翻转数、测量时间和SRAM阵列的总容量获取SRAM器件失效率。
3.根据权利要求2所述的大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法，其特征在于，所述根据所述单粒子翻转数、测量时间和SRAM阵列的总容量获取SRAM器件失效率的步骤包括以下步骤：
根据以下函数关系式获取SRAM器件失效率：
λ＝(NSEU×109)÷(T测量×NSRAM)
式中，λ为SRAM器件失效率，NSEU为单粒子翻转数，T测量为测量时间，NSRAM为SRAM阵列总容量。
4.根据权利要求1所述的大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法，其特征在于，在海拔高度大于预设值的位置执行所述对SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤。
5.根据权利要求1所述的大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法，其特征在于，在所述SRAM器件实际应用的位置执行所述对SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤。
6.根据权利要求1所述的大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法，其特征在于，所述对所述SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测，获取SRAM阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据的步骤还包括以下步骤：
当检测过程中单粒子翻转数达到预设阈值时，结束所述大气中子单粒子效应检测的步骤，执行所述获取所述SRAM阵列的总容量的步骤。
7.根据权利要求1所述的大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法，其特征在于，所述对SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤包括以下步骤：
当检测到所述SRAM阵列发生单粒子锁定时，切断所述SRAM阵列的电源。
8.根据权利要求7所述的大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法，其特征在于，所述切断所述SRAM阵列的电源的步骤之后还包括以下步骤：
再次执行所述对所述SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤，继续获取所述SRAM阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据。
9.一种大气中子诱发的SRAM器件失效率检测系统，其特征在于，包括以下模块：
单粒子效应检测模块，用于对SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测，获取SRAM阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据；
容量获取模块，用于获取所述SRAM阵列的总容量；
失效率获取模块，用于根据所述测量数据以及所述SRAM阵列的总容量获取SRAM器件失效率。
10.一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的可执行程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现权利要求1-8任一项大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法的步骤。
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