[发明专利]一种GaN外延片及制造方法在审
| 申请号： | 201711365930.7 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN107863429A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 闫稳玉;吴伟东;张薇葭;王占伟;刘双昭;王旭东;赵利 | 申请（专利权）人： | 山东聚芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司37108 | 代理人： | 郑向群 |
| 地址： | 257091 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 外延 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaN外延片及制造方法，主要包括氮化镓铝层（1）、氮化镓外延层（2）、氮化镓缓冲层（3）、衬底（4）及二维电子气（2DEG）层（5），其特征在于：所述的衬底（4）的上部为氮化镓缓冲层（3），氮化镓缓冲层（3）的上部为氮化镓外延层（2），最上方为氮化镓铝层（1），所述的二维电子气（2DEG）层（5）位于氮化镓铝层（1）和氮化镓外延层（2）之间。
2.根据权利要求1所述的一种GaN外延片及制造方法，其特征在于：所述的在衬底（4）上低温生长氮化镓作为缓冲层，在缓冲层上进行HEMT结构生长；首先生成数微米厚度的高温氮化镓外延层（2），再在氮化镓外延层（2）上生长AlXGa1-XN薄层；AlGaN和GaN界面GaN一侧会形成二维电子气（2DEG），2DEG是HEMT器件的导电层。
3.根据权利要求2所述的一种GaN外延片及制造方法，其特征在于：所述的衬底为蓝宝石、碳化硅或氮化镓等基底材料。
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