[发明专利]一种磁兼容脑部超声刺激装置及其制造方法

权利要求书

1.一种磁兼容脑部超声刺激装置，其特征在于，包括耦合装置和换能装置，所述换能装置包括壳体、压电材料部件和线缆，所述压电材料部件设置于所述壳体内，所述耦合装置连接于所述壳体；

所述压电材料部件包括压电块阵列，所述压电块阵列包括阵列排布的压电块，相邻所述压电块之间由隔槽隔开，所述压电块阵列还包括填充于所述隔槽内且用于连接相邻所述压电块的绝缘物；

所述压电块阵列的表面设置有导体层，所述压电块阵列的正面设置有用于将所述压电块阵列正面的至少部分导体层划分为多个正极导电层的电极划分槽，各所述正极导电层分别设置于多个压电块的正面，所述压电块阵列背面的导体层为负极导电层，所述负极导电层同时与多个压电块的背面连接，各所述正极导电层电连接于所述线缆的正极，所述负极导电层电连接于所述线缆的负极；

各所述正极导电层上设置有连通导电层，所述线缆的正极连接于所述连通导电层；所述线缆为同轴电缆；

所述压电块包括位于所述压电块阵列边缘的边缘压电块和位于边缘压电块内侧的换能压电块，所述正极导电层设置于所述换能压电块的正面，至少一所述边缘压电块的侧面、正面的导体层与所述压电块阵列背面的导体层导通，所述线缆的负极连接于至少其中一所述边缘压电块正面的导体层；或，

所述压电块阵列背面设置电极划分槽，所述压电块阵列背面设置有用于连接各压电块阵列背面电极的导电层；

所述耦合装置包括与所述壳体连接的耦合外壳，所述耦合外壳的前端设置有透声膜，所述压电材料部件朝向于所述透声膜，所述耦合外壳内设置有耦合剂；

所述耦合外壳设置有用于与磁共振梯度线圈配合的卡槽。

2.如权利要求1所述的一种磁兼容脑部超声刺激装置，其特征在于，所述耦合外壳呈圆锥形或圆柱形；所述透声膜呈球面状连接于所述耦合外壳的前端。

3.如权利要求1所述的一种磁兼容脑部超声刺激装置，其特征在于，所述耦合外壳的连接于所述壳体的前端，所述耦合外壳与所述壳体的配合深度可调式设置。

4.如权利要求1所述的一种磁兼容脑部超声刺激装置，其特征在于，所述耦合外壳与所述壳体之间螺纹连接，或者，所述耦合外壳套于所述壳体且所述耦合外壳与所述壳体之间具有间隙。

5.如权利要求1所述的一种磁兼容脑部超声刺激装置，其特征在于，所述耦合外壳、壳体采用电木或环氧树脂制成。

6.一种磁兼容脑部超声刺激装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

制备耦合装置、壳体、压电材料部件和线缆；

将所述压电材料部件设置于所述壳体内，将所述耦合装置连接于所述壳体；

其中：

制备所述耦合装置的步骤包括：制备与所述壳体连接的耦合外壳，所述耦合外壳设置有用于与磁共振梯度线圈配合的卡槽，所述耦合外壳的前端设置有透声膜，所述压电材料部件朝向于所述透声膜，所述耦合外壳内设置有耦合剂；

制备所述压电材料部件包括以下步骤：

制备压电块阵列步骤：制备多个阵列排布的压电块和用于连接相邻所述压电块的绝缘物，使所述绝缘物连接于相邻所述压电块之间形成压电块阵列；

制备导电层步骤：在所述压电块阵列的表面设置导体层，在所述压电块阵列的正面设置用于将所述压电块阵列正面的至少部分导体层划分为多个正极导电层的电极划分槽，所述压电块阵列背面的导体层为同时与多个压电块背面连接的负极导电层；

在制备导电层步骤中，还包括：将所述压电块阵列边缘的压电块划分为边缘压电块，将位于所述边缘压电块内侧的压电块划分为换能压电块，所述正极导电层设置于所述换能压电块的正面，所述边缘压电块的正面、侧面和背面的导电层与所述负极导电层相连，将所述线缆的负极连接于其中至少一所述边缘压电块正面的导电层；或，在所述压电块阵列背面设置电极划分槽，在所述压电块阵列背面设置用于连接各压电块阵列背面电极的导电层；

连接线缆步骤：将线缆的正极电连接于各所述正极导电层，将所述线缆的负极电连接于所述负极导电层；

连接所述线缆的正极前，先在所述压电块阵列的正面设置一层同时与各所述正极导电层相接的连通导电层，所述线缆的正极连接于所述连通导电层，所述线缆为同轴电缆。