[发明专利]平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：

提供具有N型衬底的N型外延，在所述N型外延上依序形成栅氧化层、多晶硅层及氮化硅层；

使用光刻胶对所述氮化硅层及多晶硅层进行刻蚀从而去除部分氮化硅层及多晶硅层，剩余的另一部分多晶硅层作为栅极及互联用的多晶硅层，且剩余的多晶硅层顶部的氮化硅层被保留；

去除所述光刻胶，在所述N型外延进行P型离子注入；

对所述P型注入离子进行激活及推进形成P型体区；

通过光刻工艺，定义出源区位置，并使用另一光刻胶对所述栅氧化层进行刻蚀去除部分栅氧化层，所述多晶硅层下方的栅氧化层被保留；

在所述P型体区表面形成N型区域作为源区；

去除另一光刻胶，并去除所述多晶硅层上方的部分氮化硅层；

在所述多晶硅层顶部及侧壁、所述多晶硅层下方的栅氧化层侧壁形成介质层；

在所述P型体区、所述源区及所述介质层上形成正面金属；

在所述N型衬底远离所述N型外延一侧形成背面金属。

2.如权利要求1所述的平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法，其特征在于：所述栅氧化层的厚度在800埃到1200埃的范围内。

3.如权利要求1所述的平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法，其特征在于：去除所述多晶硅层上方的部分氮化硅层的步骤包括使用热的磷酸采用湿法工艺去除所述多晶硅层上方的部分氮化硅层。

4.如权利要求1所述的平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法，其特征在于：使用光刻胶对所述氮化硅层及多晶硅层进行刻蚀从而去除部分氮化硅层及多晶硅层的步骤中，先采用干法刻蚀去除部分氮化硅层，再采用干法刻蚀去除部分多晶硅层。

5.如权利要求1所述的平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法，其特征在于：所述氮化硅层的厚度在300埃到600埃的范围内。

6.如权利要求1所述的平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法，其特征在于：所述P型离子包括硼，所述P型离子注入的剂量在每平方厘米1的13次方到每平方厘米去的15次方的范围内，所述P型离子注入的能量在600KEV至1000KEV的范围内。

7.如权利要求1所述的平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法，其特征在于：对所述P型注入离子进行激活及推进形成P型体区的步骤的温度在900摄氏度到1200摄氏度的范围内，时间在50分钟到200分钟的范围内，通入的气体包括氮气与氧气，所述氮气的流量在每分钟8升到12升的范围内，所述氧气的流量在每分钟0.04升到0.2升的范围内。

8.如权利要求1所述的平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法，其特征在于：所述N型衬底为N型浓衬底，所述N型外延为N型轻掺杂外延。

9.如权利要求1所述的平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法，其特征在于：所述正面金属的材料包括铝硅铜合金。

10.如权利要求1所述的平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法，其特征在于：所述背面金属包括钛、镍、银的复合层。