[发明专利]集成散热结构的硅基扇出型封装及晶圆级封装方法

权利要求书

1.一种集成散热结构的硅基扇出型封装，包括一硅基体，所述硅基体具有第一表面和第二表面，所述硅基体的第一表面上形成有至少一向所述第二表面延伸的凹槽，所述凹槽内设有至少一颗焊盘面向上的芯片，所述芯片的焊盘面上具有焊盘，至少有一个焊盘的电性通过导电扇出结构扇出至所述硅基体的第一表面上，其特征在于，所述硅基体的第二表面上直接制作有散热结构。

2.根据权利要求1所述的集成散热结构的硅基扇出型封装，其特征在于，所述散热结构包括在所述硅基体的第二表面上直接制作的间隔排布的多个微通道，所述微通道自所述硅基体的第二表面向第一表面延伸一定距离。

3.根据权利要求2所述的集成散热结构的硅基扇出型封装，其特征在于，所述微通道的横截面形状为孔状或沟道状。

4.根据权利要求2所述的集成散热结构的硅基扇出型封装，其特征在于，所述微通道包括位于所述凹槽的底部之上的第一微通道和位于所述凹槽的侧壁延长线之外的第二微通道。

5.根据权利要求4所述的集成散热结构的硅基扇出型封装，其特征在于，所述第二微通道的深度大于所述第一微通道的深度，且所述第二微通道的底部越过所述凹槽的底部。

6.根据权利要求2-5任一项所述的集成散热结构的硅基扇出型封装，其特征在于，所述硅基体的第二表面上贴装有散热盖板，所述散热盖板中形成有供冷却液进出的进口、出口及连接于进口和出口之间的散热流道，所述散热盖板密封所述微通道的开口。

7.根据权利要求1所述的集成散热结构的硅基扇出型封装，其特征在于，所述导电扇出结构包括形成于所述芯片及所述硅基体的第一表面上的介质层、制作于所述介质层上连接所述芯片的焊盘与所述硅基体的第一表面上的焊球的金属布线和铺设于所述金属布线层上的钝化层。

8.一种集成散热结构的硅基扇出型封装的晶圆级封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

A.提供一硅基体晶圆，所述硅基体圆片具有第一表面和与其相对的第二表面，在所述硅基体圆片的第一表面刻蚀形成至少一个具有设定形状和深度的凹槽；

B.在所述凹槽内安装至少一个待封装的芯片，使所述芯片的焊盘面朝上；

C.在所述硅基体晶圆的第一表面及所述芯片的焊盘面上制作导电扇出结构，将至少一个焊盘的电性扇出至所述硅基体的第一表面上；

D.在步骤C后的硅基体晶圆的第二表面上直接制作对应各个芯片的散热结构，所述散热结构包括在所述硅基体的第二表面上直接制作的间隔排布的多个微通道，所述微通道自所述硅基体的第二表面向第一表面延伸一定距离；

E.切割晶圆，形成集成散热结构的硅基扇出型封装。

9.根据权利要求8所述的集成散热结构的硅基扇出型封装的晶圆级封装方法，其特征在于，在所述硅基体晶圆的厚度不足以支持晶圆级封装中制作散热结构时，将步骤C后硅基体晶圆通过临时键合材料压合至一临时载板上，并在完成散热结构的制作后，将临时载板解键合。

10.根据权利要求8所述的集成散热结构的硅基扇出型封装的晶圆级封装方法，其特征在于，在步骤D中通过光刻和腐蚀工艺制作出所述散热结构，或者使用机械切割和激光工艺加工出所述散热结构。

11.根据权利要求8所述的集成散热结构的硅基扇出型封装的晶圆级封装方法，其特征在于，在步骤D后的硅基体晶圆的第二表面上贴装一散热盖板，所述散热盖板中具有供冷却液进出的进口、出口及连接于进口和出口之间的散热流道，所述散热盖板密封所述微通道的开口。