[发明专利]一种环形单元曲面频率选择表面阵列的制作方法

权利要求书

1.一种环形单元曲面频率选择表面阵列的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：

S1、通过三维建模软件对基底介质壳体、第一掩膜壳体和第二掩膜壳体分别进行三维建模，设置基底介质壳体、第一掩模壳体和第二掩模壳体三者之间的对位靶标，得到基底介质壳体模型、第一掩膜壳体模型和第二掩膜壳体模型；

S2、将所述基底介质壳体模型、所述第一掩膜壳体模型和第二掩膜壳体模型分别输入3D打印设备中成型，得到基底介质壳体、第一掩膜壳体和第二掩膜壳体，基底介质壳体、第一掩膜壳体和第二掩膜壳体外形轮廓需满足共形条件，第一掩膜壳体和第二掩膜壳体为基底介质壳体上按周期排布的镂空图形阵列；

S2还包括：对第一掩膜壳体、第二掩膜壳体以及基底介质壳体分别进行后续加工处理，所述后续加工处理包括对底介质壳体的外表面、第一掩膜壳体的内表面和第二掩膜壳体的内表面进行打磨；

S3、在所述基底介质壳体外表面涂覆负性光刻胶，将所述第一掩膜壳体附于所述基底介质壳体上，使两层壳体紧密贴合，通过曝光设备进行曝光处理；曝光后，将第一掩膜壳体取下，对基底介质壳体进行显影处理，清洗、干燥；在处理后的基底介质壳体表面制备第一金属膜层，用去胶液去除剩余的负性光刻胶，清洗、干燥，形成外围开孔单元频率选择表面阵列；

S4、基底介质壳体外表面涂覆正性光刻胶，将第二掩膜壳体附于基底介质壳体上，使两层壳体紧密贴合，通过曝光设备进行曝光处理；曝光后，将第二掩膜壳体取下，对基底介质壳体进行显影处理，清洗、干燥；在处理后的基底介质壳体表面制备第二金属膜层，用去胶液去除剩余的正性光刻胶，清洗、干燥，形成环形单元频率选择表面阵列；

其中，所述第一掩膜壳体和/或第二掩膜壳体的材料为透紫外光型材料时，在步骤S3之前，对第一掩膜壳体和/或第二掩膜壳体进行不透紫外光处理；所述不透紫外光处理的方法包括在壳体外表面镀金属膜、喷涂对紫外光不透明的涂料或刷涂对紫外光不透明的涂料；如第一掩膜壳体和第二掩膜壳体选用的材料对紫外光不透明，则直接使用。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述基底介质壳体的厚度为0.5mm～40mm。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜壳体的厚度为0.2mm～10mm；所述第二掩膜壳体的厚度为0.2mm～10mm。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，将所述基底介质壳体模型、所述第一掩膜壳体模型和第二掩膜壳体模型分别输入3D打印设备中成型的方法包括熔融堆积成型、紫外光固化成型、喷射成型、激光选区熔融或激光选区烧结。

5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述基底介质壳体的材料选自环氧类光敏树脂、环氧类光敏树脂改性材料、丙烯酸类光敏树脂、丙烯酸类光敏树脂改性材料、尼龙、尼龙改性材料、聚醚醚酮或聚醚醚酮改性材料中的至少一种。

6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜壳体和第二掩膜壳体的材料均选自环氧类光敏树脂、环氧类光敏树脂改性材料、丙烯酸类光敏树脂、丙烯酸类光敏树脂改性材料、尼龙、尼龙改性材料、聚醚醚酮或聚醚醚酮改性材料、ABS树脂、聚碳酸酯、橡胶类材料或金属中的至少一种。

7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中制备第一金属膜层和步骤S4制备第二金属膜层采用的金属均选自Cu、Al、Au、Ag、Ni或Pt中的至少一种；制备第一金属膜层和第二金属膜层的方法包括真空镀膜、喷涂或刷涂金属浆料。

8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述环形单元曲面频率选择表面阵列为Y环、十字环、圆环、方环或六边环。