[发明专利]用于半导体处理腔体的遮蔽装置及其使用方法有效
申请号: | 201711363054.4 | 申请日: | 2017-12-18 |
公开(公告)号: | CN108103473B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 柴智 | 申请(专利权)人: | 沈阳拓荆科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/04 | 分类号: | C23C16/04;C23C14/04 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 陈福昌 |
地址: | 110179 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体 处理 遮蔽 装置 及其 使用方法 | ||
1.一种用于半导体处理腔体的遮蔽装置,所述处理腔体具有一侧壁及一承载盘,其特征在于:该遮蔽装置包含:
一遮蔽环,具有一顶面及一底面,该遮蔽环的底面具有复数个凸块,用于防止所述承载盘与该遮蔽环接触;及
一支撑组件,具有一顶面及一底面,该支撑组件可拆卸连接至该遮蔽环,该支撑组件的底面经配置而与所述处理腔体中的一或多个凸出部接触,使该遮蔽环支撑于所述凸出部之上方的一位置,且连接于该支撑组件的该遮蔽环可在该位置及所述处理腔体的一顶部之间移动,且该遮蔽环与该承载盘间的一间隙至少由该支撑组件的一高度决定。
2.按照权利要求1所述的遮蔽装置,其特征在于:该遮蔽环的内缘厚度小于该遮蔽环的外缘厚度。
3.按照权利要求1所述的遮蔽装置,其特征在于:该等复数凸块为球形凸块或锥形凸块。
4.按照权利要求1所述的遮蔽装置,其特征在于:该支撑组件为一环体,该环体具有一高度。
5.按照权利要求1所述的遮蔽装置,其特征在于:该支撑组件的顶面连接至该遮蔽环的底面。
6.按照权利要求1所述的遮蔽装置,其特征在于:该遮蔽环的一外侧具有复数个耳部,该等复数个耳部与该支撑组件连接。
7.按照权利要求6所述的遮蔽装置,其特征在于:该支撑组件包含复数个支撑块,每一支撑块具有一结合孔用以接收所述耳部,使得该等复数个支撑块分别连接至该遮蔽环的每一耳部。
8.一种用于半导体处理腔体的遮蔽装置的使用方法,其中,所述处理腔体具有一侧壁、及可升降且载有晶圆的一承载盘,其特征在于:该方法包含:
提供一或多个凸出部,所述凸出部自该侧壁延伸;
提供一遮蔽装置,包含:
一遮蔽环,具有一顶面及一底面,该遮蔽环的底面具有复数个凸块;及
一支撑组件,具有一顶面及一底面,该支撑组件可拆卸连接至该遮蔽环,且该支撑组件的底面经配置而与所述处理腔体中的一或多个凸出部接触,使该遮蔽环支撑于所述凸出部之上方的一位置,连接于该支撑组件的该遮蔽环可在该位置及所述处理腔体的一顶部之间移动;以及
升高该承载盘,直到该承载盘与该遮蔽环的底面之间形成一间隙,使该遮蔽环的内缘位于所述晶圆的一外围的上方,该遮蔽环与该承载盘间的该间隙至少由该支撑组件的一高度决定。
9.按照权利要求8所述的方法,其特征在于:所述处理腔体的侧壁包含一抽气环,该抽气环具有一内壁,所述凸出部自该抽气环的内壁延伸。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的