[发明专利]一种QLED器件有效
| 申请号： | 201711363016.9 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN109935722B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 杨一行;聂志文 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 qled 器件 | ||
1.一种QLED器件，所述QLED器件包括量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光层中的量子点包括量子点核，包覆所述量子点核的金属层，包覆所述金属层的半导体壳层，其中，所述金属层中的金属元素选自Zn、Hg、Al、Ga和In中的一种或多种；所述量子点不包含镉元素；所述量子点核由III-V族半导体材料与II-VI族半导体材料所组成的合金半导体材料；所述量子点为红光量子点、绿光量子点或蓝光量子点，所述红光量子点的量子点核的粒径和所述绿光量子点的量子点核的粒径均为4-6nm，所述蓝光量子点的量子点核的粒径为2-4nm。
2.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件为正置底发射QLED器件。
3.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件为正置顶发射QLED器件。
4.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件为反置底发射QLED器件。
5.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件为反置顶发射QLED器件。
6.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述半导体壳层的材料为II-VI族半导体材料，其中，所述半导体壳层的II-VI族半导体材料选自ZnSe、ZnS、ZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSe、HgS、HgTe、HgSeS、HgSeTe和HgSTe中的一种。
7.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述金属层中的金属元素选自Zn或Ga。
8.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述量子点核的材料为III-V族半导体材料和II-VI族半导体材料所组成的合金半导体材料，所述金属层的金属元素选自Zn，其中，所述III-V族半导体材料和II-VI族半导体材料所组成的合金半导体材料选自InPZnS、InPZnSe、InPZnSeS、InGaPZnSe、InGaPZnS和InGaPZnSeS中的一种。
9.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述金属层中的金属元素选自Zn或Ga，所述量子点为绿光量子点或红光量子点。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
