[发明专利]一种碳化硅晶体导电类型的无损判定方法

权利要求书

1.一种碳化硅晶体导电类型的无损判定方法，使用紫外-可见-近红外分光光度计，对待测的SiC样品进行光谱透过率测量，使用公式 α=｛A﹢2log10(1-R)｝/(d/ln10)（1）计算碳化硅样品吸收系数曲线，其特征在于：判定方法包括，

（1）、探测光的入射方向为沿SiC晶片的c轴方向，测量指标为吸光度A，若测试样品为完整的晶圆，则在样品台添加二维扫描结构，以获得完整晶圆的不同部位的吸光度A随波长对应关系；

（2）、根据公式计算得到碳化硅样品的吸收系数随波长变化关系的吸收系数曲线，

公式 α=｛A﹢2log10(1-R)｝/(d/ln10)（1）

其中d是晶片厚度，R为材料表面反射系数，α为材料的吸收系数，R通过红外波段可以获得近似取值，对于高纯半绝缘SiC抛光片，R取值为0.1752；

（3）、从吸收系数曲线中获得紫外吸收边位置Eg；

（4）、根据判定标志与从吸收系数曲线中获得紫外吸收边位置Eg进行比较，获得半绝缘晶片导电类型，

其中，（a）、 N型半绝缘（氮为主杂质元素）判定标志：紫外吸收边位置Eg大于3.536eV、小于3.577eV，

（b）、P型半绝缘（硼为主杂质元素）判定标志：紫外吸收边位置Eg约3.41eV。