[发明专利]一种超导约瑟夫森结的制备方法有效

专利信息
申请号: 201711361366.1 申请日: 2017-12-18
公开(公告)号: CN108110131B 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 杨夏;朱美珍 申请(专利权)人: 合肥本源量子计算科技有限责任公司
主分类号: H01L39/02 分类号: H01L39/02;H01L39/22;H01L39/24
代理公司: 安徽知问律师事务所 34134 代理人: 代群群
地址: 230088 安徽省合肥市高*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 超导 约瑟夫 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种超导约瑟夫森结的制备方法,其步骤为:

1)基片预处理

选用电阻率>10000欧姆*厘米的材料作为衬底基片(1);

对基片进行清洗,将基片转移到装有异丙醇的容器中进行浸泡,再将基片转移到装有去离子水的容器中进行浸泡,最后取出基片用惰性气体吹干,得干净基片;

2)电子束曝光

在基片上涂电子束胶(5),使用电子束曝光设备在基片上曝光出A区域(2)、B区域(3),A区域、B区域有交叉区域C(4),且A区域、B区域均为长条形,构成十字型图形结构;

3)在拟定温度下显影

将装有显影液的容器放在液体中,监测显影液的温度,显影液拟定的温度为0℃~-15℃;待显影液温度达到拟定的温度并稳定维持在该温度时,将所述步骤2)得到的基片浸入所述显影液并晃动显影30~180秒,再在异丙醇中定影,使得电子束胶(5)形成的图形稳定下来;

4)两次斜蒸发镀膜

在离子束刻蚀腔体里分别从不同方向对曝光显影完的基片进行刻蚀;

进行蒸发沉积镀膜,在镀膜机里对A区域(2)、B区域(3)分别进行斜蒸发镀膜来制备超导约瑟夫森结;具体方法如下:

斜蒸发镀A区域(2);

镀完A区域(2)的基片放入纯氧气环境中进行氧化,通过控制氧化气压、氧化时间,调节制备的超导约瑟夫森结的临界电流;

换个方向沿着B区域(3)镀膜,在A区域(2)、B区域(3)的交叠区域C区域(4)处形成了三层结构的超导约瑟夫森结;

5)金属剥离

采用去胶溶液浸泡所述的步骤4)得到的基片,清理基片表面。

2.根据权利要求1所述的一种超导约瑟夫森结的制备方法,其特征在于,所述步骤1)中,清洗基片的溶液为1-甲基-2吡咯烷酮或丙酮。

3.根据权利要求2所述的一种超导约瑟夫森结的制备方法,其特征在于,所述的步骤1)中,超声时间为3min~5min。

4.根据权利要求1所述的一种超导约瑟夫森结的制备方法,其特征在于,所述步骤3)中,定影时间为15s以上。

5.根据权利要求1或4所述的一种超导约瑟夫森结的制备方法,其特征在于,所述步骤3)中,将装有显影液的容器放在液体中,所述的液体为熔点在0℃~-15℃的溶液。

6.根据权利要求5所述的一种超导约瑟夫森结的制备方法,其特征在于,步骤3)中,所述的液体为冰水。

7.根据权利要求1或2所述的一种超导约瑟夫森结的制备方法,其特征在于,所述步骤5)中,去胶溶液的温度在80℃以上。

8.根据权利要求7所述的一种超导约瑟夫森结的制备方法,其特征在于,所述步骤5)中,去胶溶液为1-甲基-2吡咯烷酮。

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