[发明专利]阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其包括以下步骤：

在基底上形成栅极层；所述栅极层具有第一栅极；

在所述栅极层上形成栅极绝缘材料层，所述栅极绝缘材料层覆盖所述栅极层及所述基底；

在所述栅极绝缘材料层上形成多晶硅材料层；

在所述多晶硅材料层上沉积形成刻蚀阻挡材料层；

对所述多晶硅材料层进行沟道掺杂；

蚀刻所述多晶硅材料层、所述刻蚀阻挡材料层及所述栅极绝缘材料层，进而形成有源层、刻蚀阻挡层及栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极层及所述基底，所述有源层形成于所述栅极层上，所述刻蚀阻挡层覆盖所述有源层；

在所述有源层及所述栅极绝缘层上形成源漏极层，所述有源层与所述源漏极层电性连接；及

在所述源漏极层上形成通孔，进而形成源极及漏极，所述通孔对应有源层设置，所述源极及所述漏极均与有源层电性连接；

所述在所述多晶硅材料层上沉积形成刻蚀阻挡材料层，包括以下步骤：

在所述多晶硅材料层上沉积形成预制刻蚀阻挡材料层；

蚀刻所述预制刻蚀阻挡材料层形成所述刻蚀阻挡材料层，所述刻蚀阻挡材料层包括第一刻蚀阻挡材料层及与所述第一刻蚀阻挡材料层连接的第二刻蚀阻挡材料层，所述第一刻蚀阻挡材料层对应所述有源层设置，所述第一刻蚀阻挡材料层对应所述第一栅极设置，所述第一刻蚀阻挡材料层的厚度大于所述第二刻蚀阻挡材料层的厚度。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述栅极层包括与所述第一栅极间隔设置的第二栅极，所述第一栅极对应所述有源层设置，所述第二栅极与所述漏极电性连接。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述蚀刻所述多晶硅材料层、所述刻蚀阻挡材料层及所述栅极绝缘材料层，进而形成有源层、刻蚀阻挡层及栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极层及所述基底，所述有源层形成于所述栅极层上，所述刻蚀阻挡层覆盖所述有源层，还包括：

蚀刻所述栅极绝缘材料层，使得所述第二栅极远离所述基底的顶面露出，以使所述第二栅极能够与所述漏极接触。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一刻蚀阻挡材料层的厚度与所述预制刻蚀阻挡材料层的厚度相同。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述源漏极层上形成通孔，进而形成源极及漏极，所述通孔对应有源层设置，所述源极及所述漏极均与有源层电性连接后，所述制造方法还包括步骤：在所述源极及所述漏极上形成有机发光层。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述在所述源极及所述漏极上形成有机发光层，具体包括以下步骤：

在所述源极及所述漏极上沉积形成钝化层；

在所述钝化层上形成阳极，所述阳极与所述漏极连接；

在所述钝化层上形成像素定义层，所述像素定义层覆盖所述阳极，所述有机发光层包括所述钝化层、所述阳极及所述像素定义层。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在基底上形成栅极层，包括以下步骤：

在衬底上形成阻挡层；

在所述阻挡层上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成所述栅极层，所述衬底、所述阻挡层及所述缓冲层依次层叠形成所述基底。

8.一种阵列基板，由权利要求1-7的任意一项所述的制造方法制成，其特征在于，所述阵列基板包括基底、栅极层、栅极绝缘层、由多晶硅材料制成的有源层、刻蚀阻挡层、源极及漏极，所述栅极层设于所述基底上，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极层及所述基底，所述有源层设于所述栅极绝缘层上，所述刻蚀阻挡层覆盖所述有源层，所述源极及所述漏极设于所述刻蚀阻挡层上，所述源极与所述漏极均与所述有源层电性连接。

9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层包括沟道区域、第一非沟道区域及第二非沟道区域，所述沟道区域连接于第一所述非沟道区域及所述第二非沟道区域之间，所述沟道区域对应所述通孔设置，所述有源层位于所述第一非沟道区域且远离所述沟道区域的端面与所述源极电性连接，所述有源层位于所述第二非沟道区域且远离所述沟道区域的端面与所述漏极电性连接。