[发明专利]一种中低温MLCC电容陶瓷的制备方法在审
| 申请号： | 201711361153.9 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN108147810A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 仪凯;张庆猛;唐群;杨志民;杨剑;毛昌辉;杜军 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C04B35/462 | 分类号： | C04B35/462;C04B35/495;C04B35/626;C04B41/88 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 朱琨 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 陶瓷 制备 玻璃碎渣 中低温 粉体 玻璃陶瓷原料 制备方法工艺 熔融玻璃液 玻璃液体 粉体烧结 高温熔融 陶瓷材料 制备周期 烧结 烘干 球磨 水中 离子 | ||
1.一种中低温MLCC电容陶瓷的制备方法，其特征在于，具体步骤：
(1)将配好的陶瓷原料放入翻转混料机中，混合2～7h，使其充分混合；
(2)将混合均匀的原料高温熔融成玻璃液，并每间隔半小时搅拌一次熔融液；
(3)将高温熔融液均匀分散的倒入到25℃的去离子水中，得到玻璃碎渣；
(4)将玻璃碎渣烘干；
(5)将玻璃碎渣、乙醇一起放入球磨罐中球磨；
(6)将球磨罐在70℃的烘箱中烘12～18h，然后将磨料过200目的筛子，制得所需粉体；
(7)将粉体烧结，制得陶瓷样片。
2.按权利要求1所述的一种中低温MLCC电容陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，原料的熔融温度为1300～1450℃，保温时间为2～5h。
3.按权利要求1所述的一种中低温MLCC电容陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，烘干温度为110～120℃，时间为12～16h。
4.按权利要求1所述的一种中低温MLCC电容陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(5)中，球磨速率为50～200r/min，球磨时间为8～24h。
5.按权利要求1所述的一种中低温MLCC电容陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(5)中，球磨方式采用行星球磨或者高能球磨，球磨后玻璃粉体粒度为1～5μm。
6.按权利要求1所述的一种中低温MLCC电容陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(5)中，球磨时球、玻璃碎渣和乙醇的质量比为球：玻璃渣：乙醇＝0.95：0.3：0.2。
7.按权利要求1所述的一种中低温MLCC电容陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(7)中，烧结的陶瓷样品析出陶瓷相为铌酸盐相或钛酸盐相，剩余玻璃相为二氧化硅玻璃相或氧化硼玻璃相。
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