[发明专利]一种原位生成纳米洋葱碳的制备方法

权利要求书

1.一种原位生成纳米洋葱碳的制备方法，其特征在于采用等离子体增强化学气相沉积技术，包括如下步骤 ：

1) 清洗基底

将预先清洁后的基底放入乙醇、丙酮中超声清洗各10~30分钟，然后用洗耳球吹干；

2) 装入基底样品

将清洗后的基底样品转移至真空腔，放置在下部的基底盘上，基底盘和脉冲负偏压电源相连；

3) 抽真空并再次清洗

利用机械泵、罗茨泵和分子泵依次将腔内抽真空，直至腔内真空小于2.0×10^-3 Pa；关闭分子泵，腔内通入氩气，在脉冲偏压-900~-700 V，占空比60~80%的条件下进行等离子体清洗1~2小时，用以去除表面残留的杂质和污染物；

4) 等离子体低温轰击

通入氮气，在脉冲偏压-900~-600 V、沉积气压35~60 Pa、占空比60~80%的条件下轰击基底2~4小时；

5) 制备纳米洋葱碳

通入甲烷，在脉冲偏压-900~-700 V、沉积气压10~40 Pa、占空比60~80%的条件下制备纳米洋葱碳0.5~4小时。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述氩气的体积流量为200~400 SCCM；所述氮气的体积流量为50~80 SCCM；所述甲烷的体积流量为5~40 SCCM。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于所用的电源为射频电源和脉冲电源。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述基底为不锈钢、铸铁、合金、陶瓷或高分子材料。