[发明专利]一种像素电路及成像系统有效

专利信息
申请号: 201711360079.9 申请日: 2017-12-15
公开(公告)号: CN108234907B 公开(公告)日: 2020-01-24
发明(设计)人: 王睿;代铁军 申请(专利权)人: 豪威科技股份有限公司
主分类号: H04N5/355 分类号: H04N5/355;H04N5/374;H04N5/378
代理公司: 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 刘媛媛
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 转移控制信号 转移晶体管 耦合 高动态范围图像 读出操作期间 浮动扩散部 光电二极管 曝光控制 图像模糊 像素电路 传感器 多位 输出 帧内 读出 架构 预充电启用信号 控制转移 启用信号 图像电荷 闲置状态 申请案 响应 晶体管 接通 样本 积累
【权利要求书】:

1.一种像素电路,其包括:

光电二极管,其适于响应于入射光而积累图像电荷;

转移晶体管,其耦合在安置于第一半导体层中的所述光电二极管与浮动扩散部之间以将所述光电二极管中所积累的所述图像电荷选择性地转移到所述浮动扩散部;及

选择电路,其耦合到所述转移晶体管的控制端子以选择第一转移控制信号、第二转移控制信号或第三转移控制信号中的一者以控制所述转移晶体管,

其中所述选择电路经耦合以在对与其中包含所述转移晶体管的行不同的行进行读出操作期间响应于预充电启用信号而输出所述第一转移控制信号,

其中所述选择电路经耦合以在对其中包含所述转移晶体管的所述行进行读出操作期间响应于样本启用信号而输出所述第二转移控制信号,且

其中所述选择电路经耦合以在所述像素电路的闲置状态期间输出所述第三转移控制信号以部分地接通所述转移晶体管。

2.根据权利要求1所述的像素电路,其中所述选择电路包含:

第一开关,其经耦合以响应于所述预充电启用信号而产生所述第一转移控制信号;

第二开关,其经耦合以响应于所述样本启用信号而产生所述第二转移控制信号;

多路复用器电路,其经耦合以响应于对多个预充电行信号中的一者的选择而产生所述预充电启用信号,所述选择是响应于曝光值信号而做出;及

曝光存储器,其经耦合以存储所述曝光值信号;

锁存器,其经耦合以响应于所述样本启用信号及第一时钟信号而被设定,其中所述锁存器经耦合以响应于所述预充电启用信号及第二时钟信号而被复位;及

第三开关,其经耦合以响应于所述锁存器的输出而产生所述第三转移控制信号。

3.根据权利要求2所述的像素电路,其中所述像素电路是像素阵列中所包含的布置成多个行及多个列的多个像素电路中的一者。

4.根据权利要求3所述的像素电路,其中所述像素阵列中一次能够接收所述第一转移控制信号的行的总数目等于能够由所述曝光存储器存储的不同的曝光值的总数目。

5.根据权利要求4所述的像素电路,其进一步包括经耦合以产生由所述曝光存储器存储的所述不同的曝光值的自动曝光控制电路。

6.根据权利要求1所述的像素电路,其中所述第一控制信号是预充电转移控制信号,其中第二控制信号是样本转移控制信号,且其中所述第三控制信号是抗图像模糊转移控制信号。

7.根据权利要求6所述的像素电路,其中所述抗图像模糊转移控制信号的量值小于所述预充电转移控制信号或所述样本转移控制信号的量值。

8.根据权利要求1所述的像素电路,其中所述像素电路适于在预充电状态、曝光状态、读出状态或所述闲置状态中的一者中操作。

9.根据权利要求1所述的像素电路,其中所述光电二极管、所述转移晶体管及所述浮动扩散部安置于第一半导体层中,且其中所述选择电路安置于第二半导体层中且通过所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的混合接合而耦合到所述转移晶体管的所述控制端子。

10.根据权利要求9所述的像素电路,其进一步包括:

复位晶体管,其安置于所述第一半导体层中且耦合到所述浮动扩散部以选择性地对所述浮动扩散部进行复位;

放大器晶体管,其安置于所述第一半导体层中且具有耦合到所述浮动扩散部的放大器栅极;及

行选择晶体管,其安置于所述第一半导体层中、耦合于位线与所述放大器晶体管之间。

11.根据权利要求9所述的像素电路,其中所述第一半导体层与所述第二半导体层是以堆叠式芯片方案而被堆叠且耦合在一起。

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