[发明专利]迷你蝴蝶兰脱毒苗的组织培养方法有效

专利信息
申请号: 201711358071.9 申请日: 2017-08-23
公开(公告)号: CN107926706B 公开(公告)日: 2020-01-03
发明(设计)人: 侯义龙;郭银银;倪天泽;蔡军 申请(专利权)人: 大连大学
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 21235 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 代理人: 祝诗洋
地址: 116622 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 迷你 蝴蝶兰 脱毒 组织培养 方法
【权利要求书】:

1.迷你蝴蝶兰脱毒苗的组织培养方法,其特征在于,包括如下步骤:选取迷你蝴蝶兰无菌试管苗进行热处理,从热处理后的无菌试管苗上取大小为0.5-1.0mm茎尖进行初代培养、继代培养,将成活的丛生芽进行病毒检测,挑选出病毒阴性丛生芽进行继代培养,最后进行生根培养,其中,初代培养基中6-BA浓度为3.0-4.0mg/L、NAA浓度为0.3-0.5mg/L、香蕉泥为25-35g/L、活性炭为2-4 g/L;继代培养基中,6-BA浓度为7.0-9.0mg/L、NAA浓度为0.2-0.4mg/L、香蕉泥为25-35g/L、活性炭为2-4 g/L;生根培养基中6-BA浓度为3.5-4.5mg/L、NAA浓度为0.7-0.9mg/L、香蕉泥为25-35g/L、活性炭为2-4 g/L;初代培养基中还加入浓度为1-5/L的碳酸氢钠和浓度为20-40mg/L的病毒唑;首先进行两周暗培养,然后于温度25℃,光照强度2000lx,光照周期14 h/d,培养四周;病毒为ORSV和CymMV。

2.根据权利要求1所述的迷你蝴蝶兰脱毒苗的组织培养方法,其特征在于,所述继代培养和生根培养的条件为:温度25℃,光照强度2000lx,光照周期14 h/d;所述迷你蝴蝶兰无菌试管苗热处理的具体方法为:开始处理时温度为30℃,每隔一天的延续期后增加1℃继续热处理培养迷你蝴蝶兰,利用逐步升高温度的方法使迷你蝴蝶兰适应热处理的温度条件,至温度上限38℃,到达38℃之后,继续培养4周,湿度保持80%左右,光照条件为每日16h,光照强度3000Lux。

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