[发明专利]反型QLED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种反型QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供气态的置换配体和沉积有量子点预制薄膜的阴极，其中，所述量子点预制薄膜中的量子点表面结合有初始配体，所述置换配体为至少含有两个活性官能团的有机配体；

将所述量子点预制薄膜置于可密闭装置中，通入气态的置换配体，进行气相配体置换，得到量子点表面结合所述置换配体的量子点薄膜；

在所述量子点发光层上制备空穴功能层；

在所述空穴功能层上制备阳极。

2.如权利要求1所述的反型QLED器件的制备方法，其特征在于，所述气相配体置换的过程中，所述可密闭装置的内部压力为10^-5～10³Pa，所述置换配体的分压为10^-4～10²Pa。

3.如权利要求2所述的反型QLED器件的制备方法，其特征在于，所述气相配体置换的过程中，所述可密闭装置的内部压力为10^-4～10²Pa，所述置换配体的分压为0.01～10Pa。

4.如权利要求1所述的反型QLED器件的制备方法，其特征在于，所述气相配体置换的过程中，所述可密闭装置的内部温度为5～200℃。

5.如权利要求1-4任一项所述的反型QLED器件的制备方法，其特征在于，所述置换配体的结构通式为X₁-R-X₂，其中，所述X₁、X₂为所述活性官能团，且所述X1单独选自-SH、-COOH、-NH₂、-OH、-NO₂、-SO₃H、膦基、磷酸基中的一种，所述X2选自-SH、-COOH、-NH₂、-OH、-NO₂、-SO₃H、膦基、磷酸基中的一种，所述R为烃基或烃基衍生物。

6.如权利要求5所述的反型QLED器件的制备方法，其特征在于，所述R包含共轭环、-C＝C-、-C≡C-、-C＝O、-N＝N-、-C≡N-、-C＝N-中的至少一种的基团。

7.如权利要求5所述的反型QLED器件的制备方法，其特征在于，所述置换配体为1,2-乙二硫醇、1,4-丁二硫醇、1,6-己二硫醇、1,8-辛二硫醇、1,4-苯二硫醇、1,4-苯二甲硫醇、巯基乙胺、巯基丙胺、巯基乙酸、3-巯基丙酸、3-巯基丁酸、6-巯基己酸、1,2-乙二胺、1,3-丙二胺、1,4-丁二胺、1,5-戊二胺、1,6-己二胺、4-巯基苯甲酸、巯基甘油、1-三甲基胺乙硫醇、硝基苯硫醇、磺基苯硫醇、巯基苯乙酸、硝基苯磺酸、苯二胺、巯基苯胺、硝基苯胺、磺基苯胺、对苯二甲酸、对苯二乙酸、氨基苯甲酸、4-(二苯基膦基)苯甲酸、对苯二胺、间苯二胺、对苯二腈、间苯二腈、对苯二硫醇、间苯二硫醇、对苯二甲酸、间苯二甲酸、2-巯基苯甲酸、4-巯基苯甲酸、4-氨基苯甲酸、4-羟基苯甲酸、对磺基苯甲酸、对硝基苯甲酸、4-巯基苯胺、4-羟基苯胺、4-氰基苯胺、4-巯基苯乙烯酸、4-羟基苯乙烯酸、2-(4-羟基苯基)吡啶、2-氯-5-氰基噻唑、2-氨基-3-氰基噻吩、1,5-二巯基萘、1,5-二羟基萘、1,4-萘二甲酸、2,6-萘二磺酸、3-氨基-5-巯基-1,2,4-三氮唑中的至少一种。

8.如权利要求1-4任一项所述的反型QLED器件的制备方法，其特征在于，所述提供气态的置换配体的过程包括：将液态置换配体经蒸发或沸腾处理后得到气态的置换配体；或将固态置换配体经液化后蒸发或直接进升华处理后得到气态的置换配体。