[发明专利]正型QLED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种正型QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供阳极和置换配体溶液；

在所述阳极上沉积量子点预制薄膜，所述量子点预制薄膜由表面含有初始配体的量子点组成，将所述量子点预制薄膜与所述置换配体溶液中的置换配体进行原位配体交换，将所述初始配体置换为置换配体，得到量子点发光层，其中，所述置换配体至少含有两个活性官能团，且选自1,2-乙二硫醇、1,4-苯二硫醇、1,4-苯二甲硫醇、6-巯基己酸、1,4-丁二胺、1,5-戊二胺、巯基甘油、1-三甲基胺乙硫醇、硝基苯硫醇、磺基苯硫醇、巯基苯乙酸、硝基苯磺酸、苯二胺、巯基苯胺、硝基苯胺、磺基苯胺、对苯二甲酸、对苯二乙酸、氨基苯甲酸、4-(二苯基膦基)苯甲酸、对苯二胺、间苯二胺、对苯二腈、间苯二腈、对苯二硫醇、间苯二硫醇、对苯二甲酸、间苯二甲酸、4-氨基苯甲酸、4-羟基苯甲酸、对磺基苯甲酸、对硝基苯甲酸、4-巯基苯胺、4-羟基苯胺、4-氰基苯胺、4-巯基苯乙烯酸、4-羟基苯乙烯酸、2-(4-羟基苯基)吡啶、2-氯-5-氰基噻唑、2-氨基-3-氰基噻吩、1,5-二巯基萘、1,5-二羟基萘、1,4-萘二甲酸、3-氨基-5-巯基-1,2,4-三氮唑中的至少一种；

提供电子功能材料溶液，将所述电子功能材料溶液沉积在所述量子点发光层表面，经退火处理制备电子功能层，其中，所述电子功能材料溶液的溶剂为己烷、环己烷、庚烷、正辛烷、异辛烷、戊烷、甲基戊烷、乙基戊烷、环戊烷、甲基环戊烷、乙基环戊烷、苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二氯甲烷、三氯甲烷、四氯化碳、二氯乙烷、三氯乙烷、氯丙烷、二氯丙烷、三氯丙烷、氯丁烷、二溴甲烷、三溴甲烷、溴乙烷、溴丙烷、碘甲烷、氯苯、溴苯、苄基氯、苄基溴、三氟甲苯、甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、异丁醇、仲丁醇、叔丁醇、戊醇、异戊醇、叔戊醇、环己醇、辛醇、苄醇、乙二醇、苯酚、邻甲酚、乙醚、苯甲醚、苯乙醚、二苯醚、四氢呋喃、乙二醇二甲醚、丙二醇甲醚、乙二醇二乙醚、羟乙基乙醚、丙二醇单丙基醚、丙二醇单丁基醚、乙醛、苯甲醛、丙酮、丁酮、环己酮、苯乙酮、甲酸、乙酸、乙酸乙酯、草酸二乙酯、丙二酸二乙酯、乙酸丙酯、甲基丙酯、乙酸丁酯、乙酸甲基戊酯、硝基苯、乙腈、二乙胺、三乙胺、苯胺、吡啶、甲基吡啶、乙二胺、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、六甲基磷酰胺、二硫化碳、甲硫醚、乙硫醚、二甲亚砜、硫醇、乙硫醇、甲氧基四氢呋喃中的至少一种；

在所述电子功能层上制备阴极。

2.如权利要求1所述的正型QLED器件的制备方法，其特征在于，将所述量子点预制薄膜与所述置换配体溶液中的置换配体进行原位配体交换的方法为：将所述量子点预制薄膜浸泡在所述置换配体溶液中进行原位配体交换。

3.如权利要求1所述的正型QLED器件的制备方法，其特征在于，所述置换配体溶液的溶剂为有机溶剂，所述有机溶剂包括己烷、甲苯、二甲苯、乙苯、二氯甲烷、三氯甲烷、丙醇、异丙醇、苯乙醚、乙腈、二乙胺、三乙胺、苯胺、吡啶、甲基吡啶、乙二胺、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、六甲基磷酰胺中的至少一种。

4.如权利要求1-3任一项所述的正型QLED器件的制备方法，其特征在于，还包括在所述阳极和量子点发光层之间制备空穴功能层，其中，所述空穴功能层包括空穴注入层、空穴传输层中的至少一种。

5.一种正型QLED器件，包括层叠结合阳极、量子点发光层、电子功能层和阴极，其特征在于，其中，所述正型QLED器件由权利要求1-4任一项所述方法制备获得。