[发明专利]一种铸造多晶硅免喷坩埚氮化硅涂层及其制备方法在审
| 申请号： | 201711354115.0 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108069731A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 杜宁;季勇升;杨德仁;张亚光;杜英;陆介平 | 申请（专利权）人： | 江苏润弛太阳能材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/87 | 分类号： | C04B41/87;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 徐冬涛;李晓峰 |
| 地址： | 212218 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化硅涂层 氮化硅 粘结剂 多晶硅 低氧 硅锭 种粒 坩埚 制备 搭配 铸造 光电转换效率 光伏组件 颗粒粗细 优化选择 成品率 粗颗粒 高粘度 细颗粒 致密性 含氧 粒径 填充 | ||
1.一种铸造多晶硅免喷坩埚氮化硅涂层，其特征在于，该氮化硅涂层包括两种粒径的氮化硅和粘结剂。
2.根据权利要求1所述的氮化硅涂层，其特征在于，所述两种粒径的氮化硅包括氮化硅A和氮化硅B，所述氮化硅A的粒径为5～50μm且不包括5μm，所述氮化硅B的粒径为0.1～5μm；优选为，所述氮化硅A的粒径为10～20μm，所述氮化硅B的粒径为0.5～2μm。
3.根据权利要求2所述的氮化硅涂层，其特征在于，所述氮化硅A和氮化硅B质量比为1:0.01～1；优选为1:0.2-0.5。
4.根据权利要求1所述的氮化硅涂层，其特征在于，所述两种粒径的氮化硅和粘结剂的质量比为：1:0.01～1；优选为1:0.03-0.08。
5.根据权利要求1或4所述的氮化硅涂层，其特征在于，所述的粘结剂为高粘度低氧含量的粘结剂；优选为聚丙烯酸、丁苯乳胶、瓜尔豆胶和阿拉伯树胶中的一种或几种。
6.权利要求1～5中任一所述铸造多晶硅免喷坩埚氮化硅涂层的制备方法，其特征在于，先将两种粒径的氮化硅混合均匀，再将混合均匀的氮化硅粉末分散在去离子水中，加入粘结剂并搅拌均匀进行喷涂。
7.权利要求1～5中任一所述的氮化硅涂层在铸造多晶硅免喷坩埚中的应用。
8.一种铸造多晶硅免喷坩埚，其特征在于，在石英坩埚表面喷涂一层如权利要求1～5中任一所述的氮化硅涂层。
9.根据权利要求8所述的铸造多晶硅免喷坩埚，其特征在于，将权利要求1～5中任一所述的氮化硅涂层用净化的压缩空气进行喷涂，喷枪压力为25psi～45psi，喷涂距离为20～35cm，定位着落坩埚宽度为15～25cm，控制涂层厚度为80～150μm。
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