[发明专利]一种QLED器件的后处理方法

权利要求书

1.一种QLED器件的后处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供QLED器件，所述QLED器件包括衬底，设置在所述衬底上的量子点发光部件，所述量子点发光部件被封装树脂封装，所述封装树脂中含有活性成分，所述活性成分为非饱和羧酸和/或饱和羧酸；

对所述QLED器件进行加热处理；

对所述QLED器件进行加热处理后，对所述QLED器件进行抽真空处理。

2.根据权利要求1所述的QLED器件的后处理方法，其特征在于，所述活性成分选自非饱和羧酸，所述非饱和羧酸选自丙烯酸、苯甲酸、丁烯酸和甲基丙烯酸中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的QLED器件的后处理方法，其特征在于，所述活性成分选自饱和羧酸，所述饱和羧酸选自乙酸、丙酸、丁酸和异丁酸中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的QLED器件的后处理方法，其特征在于，所述活性成分占封装树脂的重量百分比范围在5-40%之间。

5.根据权利要求1所述的QLED器件的后处理方法，其特征在于，对所述QLED器件进行加热处理的步骤中，加热温度范围在50-90℃之间，和/或所述QLED器件的加热时间范围在1-48小时之间。

6.根据权利要求5所述的QLED器件的后处理方法，其特征在于，对所述QLED器件进行加热处理的步骤中，加热温度范围在50-60℃之间。

7.根据权利要求1所述的QLED器件的后处理方法，其特征在于，对所述QLED器件进行抽真空处理的步骤中，抽真空的真空度范围在10^-5~10^-1 Pa之间，和/或所述QLED器件的抽真空的时间范围在1-24小时之间。

8.根据权利要求7所述的QLED器件的后处理方法，其特征在于，对所述QLED器件进行抽真空处理的步骤中，抽真空的真空度为10^-5~10^-3 Pa，所述QLED器件的抽真空的时间范围在5-20小时之间。

9.根据权利要求1所述的QLED器件的后处理方法，其特征在于，对所述QLED器件进行抽真空处理的步骤中，在常温下或在加热条件下对所述QLED器件进行抽真空处理。

10.根据权利要求9所述的QLED器件的后处理方法，其特征在于，在加热条件下对所述QLED器件进行抽真空处理，加热温度范围在50-90℃之间，和/或所述QLED器件的抽真空的加热时间范围在1-24小时之间。