[发明专利]一种防辐射镜片镀膜方法

权利要求书

1.一种防辐射镜片镀膜方法，所述镜片包括由树脂或玻璃成型的基片，所述基片的内、外两个表面从里到外对称依序设有第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层、第五膜层、第六膜层、第七膜层、第八膜层和第九膜层；所述第一膜层、第四膜层和第七膜层均为二氧化硅层，厚度均为60-90nm；所述第二膜层、第五膜层和第八膜层均为五氧化三钛层，厚度均为20-80nm；所述第三膜层为金属层，厚度为25-40nm；所述第六膜层和第九膜层均为ITO层，厚度均为30-80nm，其特征在于：所述基片由树脂成型时，所述镀膜方法具体包括以下步骤：

1）对基片进行清洗、干燥；

2）分别对基片的内、外两个表面进行镀膜；

A、分别对双面镀第一膜层：

将真空镀膜舱内的真空度调整至小于或等于5.0×10-3帕，并控制真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用电子枪轰击第一膜层的膜材，第一膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第一膜层蒸镀的速率为7Å/S，第一膜层最终形成后的厚度为60-90nm；其中，所述第一膜层的膜材为二氧化硅，形成二氧化硅层；

B、分别对双面镀第二膜层：

保持真空镀膜舱内的真空度小于或等于5.0×10-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用电子枪轰击第二膜层的膜材，第二膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤A中第一膜层的表面，同时控制第二膜层蒸镀的速率为2.5Å/S，第二膜层最终形成后的厚度为20-80nm；其中，所述第二膜层的膜材为五氧化三钛，形成五氧化三钛层；

C、分别对双面镀第三膜层：

保持真空镀膜舱内的真空度小于或等于5.0×10-3帕，并控制真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用电子枪轰击第三膜层的膜材，第三膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤B中第二膜层的表面，同时控制第七膜层蒸镀的速率为1Å/S，第七膜层最终形成后的厚度为25-40nm；其中，所述第七膜层的膜材为金、银、铂、钕、铜、锌、镍、金合金、银合金、铂合金、钕合金、铜合金、锌合金或镍合金，形成金属层；

D、分别对双面镀第四膜层：

保持真空镀膜舱内的真空度小于或等于5.0×10-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用电子枪轰击第四膜层的膜材，第四膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤C中第三膜层的表面，同时控制第四膜层蒸镀的速率为7Å/S，第四膜层最终形成后的厚度为60-90nm；其中，所述第四膜层的膜材为二氧化硅，形成二氧化硅层；

E、分别对双面镀第五膜层：

保持真空镀膜舱内的真空度小于或等于5.0×10-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用电子枪轰击第五膜层的膜材，第五膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤D中第四膜层的表面，同时控制第五膜层蒸镀的速率为2.5Å/S，第五膜层最终形成后的厚度为20-80nm；其中，所述第五膜层的膜材为五氧化三钛，形成五氧化三钛层；

F、分别对双面镀第六膜层：

保持真空镀膜舱内的真空度小于或等于5.0×10-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用电子枪轰击第六膜层的膜材，第六膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤E中第五膜层的表面，同时控制第六膜层蒸镀的速率为1Å/S，第六膜层最终形成后的厚度为30-80nm；其中，所述第六膜层的膜材为ITO材料,形成ITO层；

G、分别对双面镀第七膜层：

保持真空镀膜舱内的真空度小于或等于5.0×10-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用电子枪轰击第七膜层的膜材，第七膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤F中第六膜层的表面，同时控制第七膜层蒸镀的速率为7Å/S，第七膜层最终形成后的厚度为60-90nm；其中，所述第七膜层的膜材为二氧化硅，形成二氧化硅层；

H、分别对双面镀第八膜层：

保持真空镀膜舱内的真空度小于或等于5.0×10-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用电子枪轰击第八膜层的膜材，第八膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤G中第七膜层的表面，同时控制第八膜层蒸镀的速率为2.5Å/S，第八膜层最终形成后的厚度为20-80nm；其中，所述第八膜层的膜材为五氧化三钛，形成五氧化三钛层；

I、分别对双面镀第九膜层：

保持真空镀膜舱内的真空度小于或等于5.0×10-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用电子枪轰击第九膜层的膜材，第九膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤H中第八膜层的表面，同时控制第九膜层蒸镀的速率为1Å/S，第九膜层最终形成后的厚度为30-80nm；其中，所述第九膜层的膜材为ITO材料，形成ITO层。