[发明专利]一种共源共栅氮化镓器件及其应用

权利要求书

1.一种共源共栅氮化镓器件，其特征在于，包括硅器件和若干并联的氮化镓器件，所述硅器件与若干并联的氮化镓器件串联连接形成共源共栅结构；

若干并联的氮化镓器件的源极均与硅器件的漏极相连接，若干并联的氮化镓器件的栅极均与硅器件的源极相连接，若干并联的氮化镓器件的漏极共接作为整个共源共栅氮化镓器件的漏极。

2.根据权利要求1所述的一种共源共栅氮化镓器件，其特征在于，所述氮化镓器件为耗尽型氮化镓晶体管。

3.根据权利要求2所述的一种共源共栅氮化镓器件，其特征在于，耗尽型氮化镓晶体管的数目为N，N由硅器件的最大通流能力Imax_Si和耗尽型氮化镓晶体管的最大耐流值Imax_GaN共同决定，即N＝Imax_Si/Imax_GaN。

4.根据权利要求1所述的一种共源共栅氮化镓器件，其特征在于，所述硅器件为一个低耐压的硅MOSFET，其漏源级击穿电压值应小于或等于耗尽型氮化镓器件的源栅极所能承受的最大电压值。

5.根据权利要求4所述的一种共源共栅氮化镓器件，其特征在于，耗尽型氮化镓器件的源栅极所能承受的最大电压值为35V。

6.根据权利要求1所述的一种共源共栅氮化镓器件，其特征在于，硅器件的栅极与源极之间连接一个驱动芯片。

7.权利要求1至6中任一项所述的一种共源共栅氮化镓器件用作通断开关的应用。