[发明专利]一种高纯氮氧化硅的制备方法在审
| 申请号： | 201711352598.0 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN107986795A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 杜宁;季勇升;杨德仁;张亚光;杜英;陆介平 | 申请（专利权）人： | 江苏润弛太阳能材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/597 | 分类号： | C04B35/597;C04B35/626 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司32218 | 代理人： | 徐冬涛,李晓峰 |
| 地址： | 212218 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 氧化 制备 方法 | ||
1.一种高纯氮氧化硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将硅粉进行加湿处理；
(2)在氮氧气氛下，将步骤(1)得到的硅粉原料进行两步高温煅烧，待反应完全后得到氮氧化硅；所述两步高温煅烧的过程为：第一步1000-1300℃，5-15h，第二步1300-1500℃，10-30h。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中加湿处理后的硅粉中水分含量为0.2-10％。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，加湿处理后的硅粉中水分含量为0.5-5％。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，加湿处理后的硅粉中水分含量为1-3％。
5.根据权利要求1～4中任一所述的方法，其特征在于，所述加湿处理用的水为电导率≥0.5mΩ·cm的水，优选为去离子水。
6.根据权利要求1～4中任一所述的方法，其特征在于，所述硅粉的纯度≥99.99％，其粒径分布的D90为0.2～10μm；优选的，所述粒径分布的D90为1-5μm。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中所述两步高温煅烧的过程为：第一步1250-1300℃，10-15h，第二步1400-1450℃，20-30h。
8.根据权利要求1或7所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述两步高温煅烧过程中的压力为1～10个大气压，氮气和氧气的体积比为1:0.01～0.1。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述的压力为1-5个大气压，氮气和氧气的体积比为1:0.01-0.05。
10.采用权利要求1～9中任一所述的方法制备的高纯氮氧化硅。
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