[发明专利]植入式医疗器件的制造方法、植入式医疗器件及对准装置在审

专利信息
申请号: 201711352106.8 申请日: 2017-12-15
公开(公告)号: CN107982637A 公开(公告)日: 2018-05-04
发明(设计)人: 杨汉高;吴天准 申请(专利权)人: 深圳先进技术研究院
主分类号: A61N1/372 分类号: A61N1/372;A61N1/375;A61N1/05
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司44202 代理人: 郝传鑫,熊永强
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 植入 医疗 器件 制造 方法 对准 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及植入式医疗器械技术领域,特别涉及一种植入式医疗器件的制造方法及植入式医疗器件。

背景技术

如今,人身体的部分器官会因各种原因而发生疾病,最终影响正常的生活水平。随着医疗器械技术迅速发展,通过功能性修复的方式恢复病人的部分身体功能,达到治疗疾病或者延长寿命的目的已经得到广泛的应用。功能性修复的方法需要在人体体内植入医疗器械,从而用于替代有疾病的器官,发挥疾病器官的功能和作用。然而,目前的可植入医疗器械存在长期不稳定性,且容易丧失其功能的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种植入式医疗器件的制造方法、植入式医疗器件及对准装置,所述植入式医疗器件的制造方法能够制备一种高稳定性,且使用寿命长的植入式医疗器件。

一种植入式医疗器件的制造方法,其包括:

提供具有生物兼容性的植入式封装体,所述植入式封装体包括封装基板,所述封装基板的表面嵌设多个间隔排列的导电柱;

提供具有生物兼容性的植入式刺激电极,所述植入式刺激电极包括设有多条间隔排布的金属线的主体、位于所述主体相对两端的刺激端与粘接端,多条所述金属线连接所述刺激端与粘接端,所述粘接端内对应每一条所述金属线设有导接通孔;

将所述粘接端贴合于所述封装基板的表面上,多个所述导接通孔与多个所述导电柱一一对准;

对准所述导接通孔,并在所述导接通孔处进行焊接以形成焊点,使所述封装基板上所述导电柱与所述植入式刺激电极上的所述金属线电连接。

其中,在所述步骤“提供具有生物兼容性的植入式刺激电极,所述植入式刺激电极包括设有多条间隔排布的金属线的主体、位于所述主体相对两端的刺激端与粘接端,多条所述金属线连接所述刺激端与粘接端,所述粘接端内对应每一条所述金属线设有导接通孔”包括:所述导接通孔包括依次连接的第一孔区和第二孔区,所述第一孔区的直径大于所述第二孔区的直径,位于所述第一孔区与所述第二孔区之间形成一围绕所述导接通孔的电极焊盘,所述电极焊盘与所述导接通孔电连接,以使所述焊点与所述金属线电连接。

其中,在所述步骤“提供具有生物兼容性的植入式刺激电极,所述植入式刺激电极包括设有多条间隔排布的金属线的主体、位于所述主体相对两端的刺激端与粘接端,多条所述金属线连接所述刺激端与粘接端,所述粘接端内对应每一条所述金属线设有导接通孔”包括:在所述粘接端的表面且位于所述导接通孔周缘形成覆盖所述导接通孔内周壁的电极焊盘;所述电极焊盘与所述导接通孔电连接,以使所述焊点与所述金属线电连接。

其中,在所述步骤“在所述粘接端的表面且位于所述导接通孔周缘形成覆盖所述导接通孔内周壁的电极焊盘,所述电极焊盘与导接通孔电连接,以使所述焊点与所述金属线电连接”包括:在所述电极焊盘的内侧面形成辅助导流区及与所述辅助导流区连接的导流区,所述辅助导流区的轴截面两端为弧形;所述辅助导流区的底面直径与导流区的直径相同。

其中,在所述步骤“提供具有生物兼容性的植入式封装体,所述植入式封装体包括封装基板,封装基板的表面嵌设多个间隔排列的导电柱”包括:在每个所述导电柱的表面形成一封装基板焊盘,所述封装基板焊盘凸出于所述封装基板的表面,且固定于所述导电柱周缘的所述封装基板的表面上;所述封装基板焊盘与所述焊点连接。

其中,在所述步骤“在每个所述导电柱的表面形成一封装基板焊盘,所述封装基板焊盘凸出于所述封装基板的表面,且固定于所述导电柱周缘的所述封装基板的表面上;所述封装基板焊盘与所述焊点连接”还包括:在所述封装基板焊盘的表面内凹形成凹槽,所述焊点填充满所述凹槽。

其中,在所述步骤“对准所述导接通孔,并在所述导接通孔处进行焊接以形成焊点,使所述封装基板上所述导电柱与所述植入式刺激电极上的所述金属线电连接”包括:

将金属丝一端通过超声波熔化形成金属球,并焊入所述导接通孔中,以使所述植入式封装体与所述植入式刺激电极电连接。

其中,在所述步骤“将金属丝一端通过超声波熔化形成金属球,并焊入所述导接通孔中,以使所述植入式封装体与所述植入式刺激电极电连接”包括:对焊入所述导接通孔内的金属球进行加压或吹气。

其中,在所述步骤“对焊入所述导接通孔内的金属球进行加压或吹气”还包括:对所述粘接端的表面进行打磨抛光。

其中,所述植入式封装体及植入式刺激电极的气密性满足氦气泄漏率小于1×10-9Pa·m3/s。

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