[发明专利]一种太阳能电池的处理方法

说明书

本发明公开了一种太阳能电池的处理方法，包括：将太阳能电池置于真空条件下；对所述太阳能电池的表面进行预定时间的光照，使得所述太阳能电池的表面温度达到预设温度。本发明提供的太阳能电池的处理方法，通过对太阳能电池置于真空条件下，并经过适当光照处理，从而使得太阳能电池的光电转换效率得到提高，且处理后的太阳能电池的性能稳定性也得以提高。

技术领域

本发明涉及太阳能电池加工领域，尤其涉及一种太阳能电池的处理方法。

背景技术

近年来，高效异质结太阳能电池由于在转换效率上的重大突破，为光伏产业带来革命性的技术提升。这一新型高效太阳能电池与常规单晶硅太阳电池比较，每瓦最高多发电30％以上。

目前，硅基异质结太阳能电池制作过程对工艺设备、工艺条件和环境要求极高，其通过将非晶硅薄膜技术应用在单晶硅片上，采用非晶硅层钝化单晶硅的表面，已获得较高的光电转换率，但在市场需求的追逐下，如何进一步提高硅基异质结太阳能电池的绝对效率，依旧是行业内的研究方向。

发明内容

本发明的目的是提供一种太阳能电池的处理方法，以解决现有技术中的问题，进一步提高太阳能电池的光电转换效率。

本发明提供了一种太阳能电池的处理方法，所述太阳能电池的处理方法包括：

将太阳能电池置于真空条件下；

对所述太阳能电池的表面进行预定时间的光照，使得所述太阳能电池的表面温度达到预设温度。

作为优选，所述将太阳能电池置于真空条件下，具体包括：

将所述太阳能电池置于包装袋内，并进行真空包装。

作为优选，所述包装袋为透明包装袋。

作为优选，所述包装袋为聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚乙烯材料。

作为优选，所述光照具体通过光源进行照射，所述光源包括太阳光光源或模拟太阳光光源或红外光光源。

作为优选，所述光源波长范围为300～1200nm，光强为50～1500W/㎡。

作为优选，所述预定时间为10s～100h，且所述预设温度范围为0～200℃。

作为优选，所述光源波长范围为800～1200nm，光强为500～1500W/㎡，预定时间为30s～10min，预设温度为100～190℃。

作为优选，所述真空条件的真空度为10-10Torr。

作为优选，所述太阳能电池包括电池芯片，所述电池芯片为未经光照的电池芯片。

本发明提供的太阳能电池的处理方法，通过对太阳能电池置于真空条件下，并经过适当光照处理，从而使得太阳能电池的光电转换效率得到提高，且处理后的太阳能电池的性能稳定性也得以提高。

附图说明

图1为本发明实施例提供的太阳能电池的处理方法的流程示意图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。

如图1所示，本发明实施例提供了一种太阳能电池的处理方法，所述太阳能电池的处理方法包括：

步骤1：将太阳能电池置于真空条件下；

步骤2：对所述太阳能电池的表面进行预定时间的光照，使得所述太阳能电池的表面温度达到预设温度。