[发明专利]TFT阵列基板全接触式测试线路

权利要求书

1.一种TFT阵列基板全接触式测试线路，其特征在于，包括多条数据线(1)、设于所述多条数据线(1)的扇出区(11)之外的驱动芯片(3)及设于所述驱动芯片(3)远离所述扇出区(11)一侧的测试芯片(5)，并且所述驱动芯片(3)位于面板切割界线(7)之内，而所述测试芯片(5)位于面板切割界线(7)之外；

所述驱动芯片(3)包括多个驱动端子(31)，一驱动端子(31)对应电性连接一数据线(1)；所述测试芯片(5)包括多个测试端子(51)，一测试端子(51)至少通过一走线(35)电性连接一驱动端子(31)；

所述驱动端子(31)与测试端子(51)均由与TFT阵列基板内TFT的有源层同层的半导体(S)及与TFT阵列基板内TFT的源/漏极同层的金属(M)制作而成，所述走线(35)由与TFT阵列基板内TFT的有源层同层的半导体(S)制作而成。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板全接触式测试线路，其特征在于，所述与TFT阵列基板内TFT的有源层同层的半导体(S)为掺杂了磷离子或硼离子的多晶硅。

3.如权利要求1所述的TFT阵列基板全接触式测试线路，其特征在于，所述与TFT阵列基板内TFT的源/漏极同层的金属(M)为钼、钛、铝、铜中的一种或几种的层叠组合。

4.如权利要求1所述的TFT阵列基板全接触式测试线路，其特征在于，完成TFT阵列基板全接触式测试后，所述测试芯片(5)在面板切割时被切割掉。

5.如权利要求1所述的TFT阵列基板全接触式测试线路，其特征在于，所述测试端子(51)的数量与所述驱动端子(31)的数量相等，一测试端子(51)通过一走线(35)对应电性连接一驱动端子(31)。

6.如权利要求1所述的TFT阵列基板全接触式测试线路，其特征在于，所述驱动端子(31)的数量是所述测试端子(51)的数量的m倍，m为大于1的正整数，一测试端子(51)通过相邻的m条走线(35)与多路复用器(6)对应电性连接相邻的m个驱动端子(31)。

7.如权利要求6所述的TFT阵列基板全接触式测试线路，其特征在于，所述驱动端子(31)的数量是所述测试端子(51)的数量的两倍，一测试端子(51)通过相邻的两条走线(35)与多路复用器(6)对应电性连接相邻的两个驱动端子(31)；

所述多路复用器(6)包括间隔设置的第一开关薄膜晶体管(T1)与第二开关薄膜晶体管(T2)；所述第一开关薄膜晶体管(T1)的栅极接入第一控制信号(MS1)，所述第二开关薄膜晶体管(T2)的栅极接入第二控制信号(MS2)；设n为正整数，第n个测试端子(51)与第2n-1条测试走线(35)分别电线连接第n个第一开关薄膜晶体管(T1)的源极与漏极，第2n-1条测试走线(35)电性连接第2n-1个驱动端子(31)；第n个测试端子(51)与第2n条测试走线(35)分别电线连接第n个第二开关薄膜晶体管(T2)的源极与漏极，第2n条测试走线(35)电性连接第2n个驱动端子(31)。