[发明专利]电子传输材料及其制备方法和发光二极管

权利要求书

1.一种电子传输材料，其特征在于，包括金属氧化物纳米颗粒和PMMA，且所述金属氧化物纳米颗粒和所述PMMA之间通过非烷氧基碳链末端含有氨基的烷氧基硅烷偶联剂相连接；其中，

所述硅烷偶联剂的一端通过-Si(O-)₃与所述金属氧化物纳米颗粒连接，所述硅烷偶联剂的另一端通过-NH-CO-与所述PMMA连接；

所述金属氧化物纳米颗粒选自氧化锌纳米颗粒、二氧化钛纳米颗粒和氧化锡中纳米颗粒的至少一种；

所述金属氧化物纳米颗粒的粒径为5-30nm；

所述金属氧化物纳米颗粒的质量与非烷氧基碳链末端含有氨基的烷氧基硅烷偶联剂的体积比为100mg：(0.2-2)mL；

所述金属氧化物纳米颗粒的质量与形成所述PMMA的MMA单体的体积比为100mg：(0.4-8.0)mL。

2.如权利要求1所述的电子传输材料，其特征在于，所述非烷氧基碳链末端含有氨基的烷氧基硅烷偶联剂选自KH550和KH792中的一种。

3.一种电子传输材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供金属氧化物纳米颗粒和非烷氧基碳链末端含有氨基的烷氧基硅烷偶联剂，将所述金属氧化物纳米颗粒和所述硅烷偶联剂溶于有机溶剂中，进行加热处理，得第一溶液；

提供MMA单体和催化剂，将所述MMA单体和所述催化剂加入所述第一溶液中，进行酰化反应，得第二溶液；

提供偶氮类引发剂，将所述引发剂加入所述第二溶液中，进行聚合反应，得所述电子传输材料；

其中，所述金属氧化物纳米颗粒选自氧化锌纳米颗粒、二氧化钛纳米颗粒和氧化锡纳米颗粒中的至少一种；

所述金属氧化物纳米颗粒的粒径为5-30nm；

所述金属氧化物纳米颗粒的质量与非烷氧基碳链末端含有氨基的烷氧基硅烷偶联剂的体积比为100mg：(0.2-2)mL；

所述金属氧化物纳米颗粒的质量与所述MMA单体的体积比为100mg：(0.4-8.0)mL。

4.如权利要求3所述的电子传输材料的制备方法，其特征在于，所述加热处理的温度为100-200℃，时间为1-4h；和/或

所述酰化反应的温度为25-100℃，时间为0.5-2h；和/或

所述聚合反应的温度为80-90℃，时间为1-2h；和/或

所述加热处理在惰性气体氛围中进行。

5.如权利要求3所述的电子传输材料的制备方法，所述催化剂选自酸催化剂、碱催化剂和缩合催化剂中的至少一种；和/或

所述偶氮类引发剂选自偶氮二异丁腈、偶氮二异庚腈和偶氮二异丁酸二甲酯中的至少一种。

6.如权利要求3所述的电子传输材料的制备方法，其特征在于，

所述偶氮类引发剂为所述MMA单体质量的1-5％。

7.如权利要求5所述的电子传输材料的制备方法，其特征在于，所述非烷氧基碳链末端含有氨基的烷氧基硅烷偶联剂选自KH550和KH792中的一种；和/或

所述有机溶剂为芳香类有机溶剂，选自苯、甲苯、二甲苯和乙苯中的至少一种。

8.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括电子传输层结构，所述电子传输层的材料含有权利要求1-2任一项所述的电子传输材料。

9.如权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管为QLED或OLED。