[发明专利]一种图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201711351450.5 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN107919374A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 穆钰平;陈世杰;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 张振军,吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管；
介质层，所述介质层位于所述半导体衬底表面，所述介质层内形成有光电转换薄膜；
其中，所述光电转换薄膜的位置与所述光电二极管的位置一一对应，以使得穿过所述光电二极管的光线传输至对应的光电转换薄膜。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光电转换薄膜为有机光电转换薄膜。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述半导体衬底内还形成有MOS晶体管，所述介质层覆盖所述MOS晶体管的栅极。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光电转换薄膜的感光面积不小于对应的光电二极管的感光面积。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光电二极管的输出端与对应的光电转换薄膜电连接。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光电转换薄膜的边缘朝向对应的光电二极管弯折。
7.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管；
在所述半导体衬底表面形成介质层，所述介质层内具有光电转换薄膜；
其中，所述光电转换薄膜的位置与所述光电二极管的位置一一对应，以使得穿过所述光电二极管的光线传输至对应的光电转换薄膜。
8.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述光电转换薄膜为有机光电转换薄膜。
9.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述在所述半导体衬底表面形成介质层包括：
在所述半导体衬底表面形成第一介质层；
对所述第一介质层进行刻蚀以形成凹槽，所述凹槽的位置与所述光电二极管的位置一一对应；
在所述凹槽内填充所述光电转换薄膜；
形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述光电转换薄膜和第一介质层；
其中，所述介质层包括所述第一介质层和第二介质层。
10.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述光电转换薄膜的边缘朝向对应的光电二极管弯折。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711351450.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：磁场检测装置
- 下一篇：包括用于利用浇铸化合物进行填充的组件的现场设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
