[发明专利]发光二极管及其制备方法、显示面板

说明书

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种发光二极管及其制备方法、显示面板。该发光二极管，包括层叠设置的阳极、复合发光层和阴极，所述复合发光层包括有机TFDF荧光材料和量子点材料，所述有机TFDF荧光材料的荧光发射光谱与所述量子点材料的吸收光谱至少部分重叠。该发光二极管将有机TFDF荧光材料作为主体材料，三线态激子可转化为单线态激子，然后通过荧光共振能量转移途径将能量传递给量子点材料发光，这样增加了发光二级管器件对三线态激子的利用，增强了量子点材料的发光，从而进一步提高了发光二极管的电流效率。

技术领域

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种发光二极管及其制备方法、显示面板。

背景技术

胶体量子点因其荧光效率高、单色性好，发光波长可调控和稳定性好而在显示器件领域有着可观的应用前景。基于量子点的发光二极管(量子点发光二极管，Quantum dotlight-emitting diode,QLED)具有更好的色彩饱和度、能效色温以及寿命长等优点，有望成为下一代固体照明和平板显示的主流技术。

量子点发光二极管一般包括量子点发光层，电极以及在这两者之间的功能层，其中功能层一般包括有空穴注入层，空穴传输层，量子点发光层，电子传输层，阴极传输层等。在电致发光过程中，一般主体材料形成单线态激子与三线态激子的统计概率为1:3，因此对于量子点电致荧光器件，其最大激子利用率通常不超过25％，这直接导致器件的效率低下、发热严重。因此，通过有效设计出有机-无机复合量子点荧光材料实现对含量高达75％的三重态激子的有效利用具有重要意义。有机电致延迟荧光材料可有效利用三线态激子，延迟荧光材料按照发光机理可分为E-型延迟荧光和P-型延迟荧光。有研究人员通过各种方法将E-型延迟荧光的TADF材料运用到各种发光器件之中并取得了良好的效果。但是，TADF材料难以通过理性设计得到，而且这类材料不仅要求具有较小的单线态-三线态能级差(ΔEST)，还要求高的光致发光效率。因此，现有技术有待改进。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种发光二极管及其制备方法、显示面板，旨在解决现有发光二极管中对激子的利用率有限，以致使器件效率低下、发热严重的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种发光二极管，包括层叠设置的阳极、复合发光层和阴极，所述复合发光层包括有机TFDF荧光材料和量子点材料，所述有机TFDF荧光材料的荧光发射光谱与所述量子点材料的吸收光谱至少部分重叠。

本发明另一方面提供一种上述发光二极管的制备方法，包括如下步骤：

提供底电极；

在所述底电极上沉积所述复合发光层；

在所述复合发光层上沉积顶电极；

其中，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；或所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。

最后，本发明提供一种显示面板，所述显示面板包括上述发光二极管。

本发明提供发光二极管，其中设置有由有机TFDF荧光材料和量子点材料组成的复合发光层，该发光二极管引入了有机TFDF荧光材料可有效利用三线态激子，将有机TFDF荧光材料作为主体材料，三线态激子可转化为单线态激子，因有机TFDF荧光材料的荧光发射光谱与量子点材料的吸收光谱至少部分重叠，两者可发生荧光共振能量转移，通过荧光共振能量转移途径将能量传递给量子点材料发光，这样增加了发光二级管器件对三线态激子的利用，增强了量子点材料的发光，从而进一步提高了发光二极管的电流效率。

本发明提供的发光二极管的制备方法，过程简单、易重复、易实现大规模制备，而且最终制得的发光二极管不仅增加了对三线态激子的利用，增强了量子点材料的发光，而且进一步提高了发光二极管的电流效率。