[发明专利]反型QLED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种反型QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底阴极和置换配体溶液；

在所述阴极上沉积量子点预制薄膜，所述量子点预制薄膜由表面含有初始配体的量子点组成，将所述量子点预制薄膜与所述置换配体溶液中的置换配体进行原位配体交换，将所述初始配体置换为置换配体，得到量子点发光层，其中，所述置换配体至少含有两个活性官能团；

在所述量子点发光层表面制备空穴功能层；

在所述空穴功能层上制备阳极。

2.如权利要求1所述的反型QLED器件的制备方法，其特征在于，所述置换配体的结构通式为X1-R-X2，其中，所述R为烃基或烃基衍生物，所述X1、X2为所述活性官能团，且所述X1选自-SH、-COOH、-NH₂、-OH、-NO₂、-SO₃H、膦基、磷酸基中的一种，和/或

所述X2选自-SH、-COOH、-NH₂、-OH、-NO₂、-SO₃H、膦基、磷酸基中的一种。

3.如权利要求2所述的正型QLED器件的制备方法，其特征在于，所述R包括共轭环、-C＝C-、-C≡C-、-C＝O、-N＝N-、-C≡N、-C＝N-中的至少一种的基团。

4.如权利要求1-3任一项所述的反型QLED器件的制备方法，其特征在于，所述置换配体选自1,2-乙二硫醇、1,4-丁二硫醇、1,6-己二硫醇、1,8-辛二硫醇、1,4-苯二硫醇、1,4-苯二甲硫醇、巯基乙胺、巯基丙胺、巯基乙酸、3-巯基丙酸、3-巯基丁酸、6-巯基己酸、1,2-乙二胺、1,3-丙二胺、1,4-丁二胺、1,5-戊二胺、1,6-己二胺、4-巯基苯甲酸、巯基甘油、1-三甲基胺乙硫醇、硝基苯硫醇、磺基苯硫醇、巯基苯乙酸、硝基苯磺酸、苯二胺、巯基苯胺、硝基苯胺、磺基苯胺、对苯二甲酸、对苯二乙酸、氨基苯甲酸、4-(二苯基膦基)苯甲酸、对苯二胺、间苯二胺、对苯二腈、间苯二腈、对苯二硫醇、间苯二硫醇、对苯二甲酸、间苯二甲酸、2-巯基苯甲酸、4-巯基苯甲酸、4-氨基苯甲酸、4-羟基苯甲酸、对磺基苯甲酸、对硝基苯甲酸、4-巯基苯胺、4-羟基苯胺、4-氰基苯胺、4-巯基苯乙烯酸、4-羟基苯乙烯酸、2-(4-羟基苯基)吡啶、2-氯-5-氰基噻唑、2-氨基-3-氰基噻吩、1,5-二巯基萘、1,5-二羟基萘、1,4-萘二甲酸、2,6-萘二磺酸、3-氨基-5-巯基-1,2,4-三氮唑中的至少一种。

5.如权利要求1-3任一项所述的反型QLED器件的制备方法，其特征在于，将所述量子点预制薄膜与所述置换配体溶液中的置换配体进行原位配体交换的方法为：将所述量子点预制薄膜浸泡在所述置换配体溶液中进行原位配体交换。

6.如权利要求1-3任一项所述的反型QLED器件的制备方法，其特征在于，所述置换配体溶液的溶剂为有机溶剂，所述有机溶剂包括己烷、甲苯、二甲苯、乙苯、二氯甲烷、三氯甲烷、丙醇、异丙醇、苯乙醚、乙腈、二乙胺、三乙胺、苯胺、吡啶、甲基吡啶、乙二胺、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、六甲基磷酰胺中的至少一种。

7.如权利要求1-3任一项所述的反型QLED器件的制备方法，其特征在于，所述空穴功能层的制备方法为：提供空穴功能材料溶液，将所述空穴功能材料溶液沉积在所述量子点发光层表面，经退火处理制备空穴功能层。