[发明专利]发光二极管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201711351220.9 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109935708A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 张珈铭 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子点材料 钙钛矿 发光二极管器件 发光二极管 复合发光层 电子传输层 缺陷态 制备 载流子传输性能 阴极 电子传输材料 甲基铵阳离子 层叠设置 电致发光 发光效率 去质子化 应用效果 阳极 钝化剂 激发态 量子点 络合物 非钙 接枝 与非 钛矿 优化 | ||
1.一种发光二极管，包括层叠设置的阳极、复合发光层、电子传输层和阴极，其特征在于，所述复合发光层含有钙钛矿量子点材料和非钙钛矿量子点材料，所述电子传输层含有接枝有缺陷态钝化剂的电子传输材料。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，复合发光层包括钙钛矿量子点发光层和非钙钛矿量子点发光层，且所述钙钛矿量子点发光层与所述电子传输层相邻。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述钙钛矿量子点材料选自结构通式为AMX3的有机-无机杂化钙钛矿材料；其中，A为有机胺阳离子，M为二价金属阳离子，X为卤素阴离子。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述电子传输层包括钝化电子传输层和未钝化电子传输层，所述钝化电子传输层的材料为所述接枝有缺陷态钝化剂的电子传输材料，且所述钝化电子传输层与所述复合发光层相邻。
5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述钝化电子传输层的厚度为10-40nm；和/或
所述未钝化电子传输层的厚度为10-30nm。
6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述缺陷态钝化剂的重量与所述电子传输层的重量比为1:(31-91)。
7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述缺陷态钝化剂选自有机硫醇和/或有机配位聚合物。
8.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述有机硫醇选自乙二硫醇、1,6-己二硫醇、1,4-丁二硫醇和1,3-丙二硫醇中的至少一种；和/或
所述有机配位聚合物选自聚环氧乙烷和聚乙二醇中的至少一种。
9.一种如权利要求1-8任一项所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供所述阳极；
在所述阳极上沉积所述复合发光层；
在所述复合发光层上沉积所述电子传输层；
在所述电子传输层上沉积所述阴极。
10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，沉积所述电子传输层的步骤包括：
提供缺陷态钝化剂和电子传输材料，将所述缺陷态钝化剂和所述电子传输材料溶于有机溶剂中，在30-60℃的温度下加热，得混合溶液；
将所述混合溶液沉积于所述复合发光层上。
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