[发明专利]正型QLED器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201711351176.1 申请日: 2017-12-15
公开(公告)号: CN109935661A 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 曹蔚然;杨一行;向超宇;钱磊;梁柱荣 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/06;H01L33/26
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 黄志云
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 量子点 制备 置换 配体 薄膜 预制 阳极 电子功能 配体溶液 正型 阴极 发光层表面 配体交换 配体置换 发光层 沉积
【权利要求书】:

1.一种正型QLED器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供阳极和置换配体溶液;

在所述阳极上沉积量子点预制薄膜,所述量子点预制薄膜由表面含有初始配体的量子点组成,将所述量子点预制薄膜与所述置换配体溶液的置换配体中进行原位配体交换,将所述初始配体置换为置换配体,得到量子点发光层;

在所述量子点发光层表面制备电子功能层;

在所述电子功能层上制备阴极。

2.如权利要求1所述的正型QLED器件的制备方法,其特征在于,所述置换配体的结构通式为X1-R-X2,其中,其中,所述R为烃基或烃基衍生物,所述X1为与所述量子点交联的官能团,所述X2为极性调节官能团,且所述X1与量子点的交联活性大于所述X2与量子点的交联活性。

3.如权利要求2所述的正型QLED器件的制备方法,其特征在于,所述X1选自-SH、-COOH、-NH2、-OH、-NO2、-SO3H、膦基、磷酸基中的一种;和/或

所述X2选自-COOH、-OH、-CN、-NHCO-CH3、-NH2、-SH、-CHO、-CO-、-COOR、-NO2、-O-、-O-CH3、-CH3中的一种。

4.如权利要求1所述的白光量子点发光二极管,其特征在于,所述R中含有共轭环、-C=C-、-C≡C-、-C=O、-N=N-、-C≡N、-C=N-基团中的至少一种。

5.如权利要求2所述的正型QLED器件的制备方法,其特征在于,所述置换配体为巯基乙酸、3-巯基丙酸、3-巯基丁酸、6-巯基己酸、巯基乙胺、3-巯基丙胺、4-巯基苯甲酸、巯基甘油、1-三甲基胺乙硫醇、巯基苯胺、硝基苯胺、磺基苯胺、氨基苯甲酸、4-(二苯基膦基)苯甲酸中的至少一种;或

所述置换配体为辛胺、丙胺、十六胺、4-巯基苯甲醚、1-羟基-3-甲氧基-丙烷中的至少一种;或

所述置换配体选自2-巯基苯甲酸、4-巯基苯甲酸、4-氨基苯甲酸、4-羟基苯甲酸、对磺基苯甲酸、对硝基苯甲酸、4-巯基苯胺、4-羟基苯胺、4-氰基苯胺、4-巯基苯乙烯酸、4-羟基苯乙烯酸、2-(4-羟基苯基)吡啶、2-氯-5-氰基噻唑、2-氨基-3-氰基噻吩、、3-氨基-5-巯基-1,2,4-三氮唑中的至少一种。

6.如权利要求1-5任一项所述的正型QLED器件的制备方法,其特征在于,将所述量子点预制薄膜与所述置换配体溶液中的置换配体进行原位配体交换的方法为:将所述量子点预制薄膜浸泡在所述置换配体溶液中进行原位配体交换。

7.如权利要求1-5任一项所述的正型QLED器件的制备方法,其特征在于,所述电子传输层的材料为强极性有机材料时,所述置换配体溶液的置换配体中,X2为弱极性或非极性官能团,所述弱极性或非极性官能团选自-CO-、-COOR、-NO2、-O-、-O-CH3、-CH3中的至少一种。

8.如权利要求1-5任一项所述的正型QLED器件的制备方法,其特征在于,所述电子传输层的材料为弱极性有机材料时,所述置换配体溶液的置换配体中,X2为强极性官能团,所述强极性官能团选自-COOH、-OH、-CN、-NHCO-CH3、-NH2、-SH、-CHO中的至少一种。

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