[发明专利]一种二氧化钛塑料薄膜及其加工方法

权利要求书

1.一种二氧化钛塑料薄膜，其特征在于，包括高分子塑料薄膜、覆盖在所述高分子塑料薄膜表面的纯铝膜层、由所述纯铝膜层的表面经过氧化处理生成的多孔结构的氧化铝膜层、以及沉积在所述氧化铝膜层表面的二氧化钛膜层。

2.如权利要求1所述的二氧化钛塑料薄膜，其特征在于，所述氧化铝膜层的孔隙率为60～65％，孔径为0.25～0.6μm。

3.如权利要求1或2所述的二氧化钛塑料薄膜，其特征在于，所述高分子塑料薄膜的厚度为10～80μm，所述纯铝膜层的厚度为25～500nm，所述氧化铝膜层的厚度为25～500nm。

4.如权利要求1至3中任一项所述的二氧化钛塑料薄膜的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)纯铝膜层的加工

对于极性的高分子塑料薄膜，直接在高分子塑料薄膜的表面镀制出纯铝膜层；

对于非极性的高分子塑料薄膜，先对高分子塑料薄膜的表面进行电晕处理，再在高分子塑料薄膜的表面镀制出纯铝膜层；

(2)氧化铝膜层的加工

以纯铝膜层为阳极，置于硫酸水溶液中，通以直流电，对纯铝膜层进行阳极氧化处理，通过电解作用使纯铝膜层的表面氧化，生成多孔结构的氧化铝膜层；

(3)二氧化钛膜层的加工

在氧化铝膜层的表面沉积二氧化钛，制出二氧化钛膜层。

5.如权利要求4所述的二氧化钛塑料薄膜的加工方法，其特征在于，阳极氧化处理的工艺条件为：电解电压AC18～25V，硫酸水溶液浓度180～230g/L，电解质溶液温度10～20℃，阳极电流密度0.8～1.5A/dm²，铝离子浓度Al³⁺<20g/L。

6.如权利要求4或5所述的二氧化钛塑料薄膜的加工方法，其特征在于，电晕处理的工艺条件为：AC220V(±20％)稳定电源，电极间隙1～2mm，电压范围10000～20000V，电晕处理机的输出功率范围1000～13000VA，电晕处理机的频率调节范围10～25kHz。

7.如权利要求4或5所述的二氧化钛塑料薄膜的加工方法，其特征在于，镀制出纯铝膜层采用真空蒸镀工艺，真空蒸镀的工艺条件为：真空度1.3×10^-2～1.3×10^-5Pa，蒸发舟温度1300～1400℃。

8.如权利要求4或5所述的二氧化钛塑料薄膜的加工方法，其特征在于，制出二氧化钛膜层采用磁控溅射工艺，磁控溅射的工艺条件为：靶距60～90mm，真空度2×10^-4～2×10^-5Pa，射频功率150～400W，频率25～35MHz，通入氩气，氩气流量20～60mL/min。